摘要 | 第6-8页 |
ABSTRACT | 第8-10页 |
第一章 绪论 | 第14-42页 |
1.1 VO_2的热致变色性能及应用 | 第16-19页 |
1.2 VO_2的热敏性能及应用 | 第19-23页 |
1.3 VO_2薄膜制备工艺选择 | 第23-33页 |
1.3.1 液相法 | 第23-26页 |
1.3.2 磁控溅射法 | 第26-28页 |
1.3.3 脉冲激光法 | 第28-30页 |
1.3.4 化学气相沉积法 | 第30-33页 |
1.4 VO_2掺杂改性 | 第33-40页 |
1.4.1 M相单掺杂 | 第33-38页 |
1.4.2 B相单掺杂 | 第38页 |
1.4.3 共掺 | 第38-40页 |
1.5 本课题研究内容 | 第40-42页 |
第二章 VO_2薄膜制备与表征方法 | 第42-55页 |
2.1 CVD法制备VO_2薄膜 | 第42-46页 |
2.1.1 实验的主要仪器和材料 | 第42-44页 |
2.1.2 基底预处理 | 第44页 |
2.1.3 实验步骤 | 第44-46页 |
2.2 薄膜的表征分析方法 | 第46-55页 |
2.2.1 模拟计算表征手段 | 第46-47页 |
2.2.2 常规表征手段 | 第47-53页 |
2.2.3 其它表征手段 | 第53-55页 |
第三章 CVD法VO_2(M)热致变色膜的制备与性能研究 | 第55-76页 |
3.1 引言 | 第55-56页 |
3.2 实验工艺及表征方法 | 第56-58页 |
3.2.1 实验原料及仪器 | 第56页 |
3.2.2 实验流程 | 第56-57页 |
3.2.3 样品表征及分析 | 第57-58页 |
3.3 实验结果与讨论 | 第58-74页 |
3.3.1 沉积过程中Ar气流量对薄膜物相结构的影响 | 第58-60页 |
3.3.2 退火时间对薄膜物相结构的影响 | 第60-61页 |
3.3.3 沉积时间对薄膜结构和光学性能的影响 | 第61-65页 |
3.3.4 退火温度对薄膜结构和光学性能的影响以及第一性原理分析 | 第65-72页 |
3.3.5 两步生长工艺 | 第72-74页 |
3.4 本章小结 | 第74-76页 |
第四章 掺杂VO_2(M)热致变色膜的制备与性能研究 | 第76-99页 |
4.1 引言 | 第76-77页 |
4.2 实验工艺及表征方法 | 第77-78页 |
4.2.1 实验原料及仪器 | 第77页 |
4.2.2 实验流程 | 第77页 |
4.2.3 样品表征及分析 | 第77-78页 |
4.3 实验结果与讨论 | 第78-97页 |
4.3.1 掺杂浓度对薄膜光学性能的影响 | 第78-91页 |
4.3.2 单掺和共掺对薄膜物相及微观结构的影响 | 第91-96页 |
4.3.3 单掺和共掺对薄膜光学性能的影响 | 第96-97页 |
4.4 本章小结 | 第97-99页 |
第五章 CVD法VO_2(B)热敏膜的制备及性能研究 | 第99-112页 |
5.1 引言 | 第99页 |
5.2 实验工艺及表征方法 | 第99-100页 |
5.2.1 实验原料及仪器 | 第99-100页 |
5.2.2 实验流程 | 第100页 |
5.2.3 样品表征及分析 | 第100页 |
5.3 实验结果与讨论 | 第100-111页 |
5.3.1 Ar气流量对薄膜结构和电学性能的影响 | 第100-106页 |
5.3.2 沉积温度对薄膜结构和电学性能的影响 | 第106-110页 |
5.3.3 原位退火工艺 | 第110-111页 |
5.4 本章小结 | 第111-112页 |
第六章 掺杂VO_2(B)热敏膜的制备与性能研究 | 第112-128页 |
6.1 引言 | 第112-113页 |
6.2 实验工艺及表征方法 | 第113-115页 |
6.2.1 实验原料及仪器 | 第113-114页 |
6.2.2 实验流程 | 第114页 |
6.2.3 样品表征及分析 | 第114-115页 |
6.3 实验结果与讨论 | 第115-127页 |
6.3.1 物相和微观结构 | 第115-119页 |
6.3.2 同步辐射表征电子结构 | 第119-124页 |
6.3.3 光学和电学性能 | 第124-127页 |
6.4 本章小结 | 第127-128页 |
第七章 结论与展望 | 第128-131页 |
7.1 结论 | 第128-129页 |
7.2 创新点 | 第129页 |
7.3 展望 | 第129-131页 |
参考文献 | 第131-160页 |
攻读博士学位期间发表的论文及申请的专利 | 第160-162页 |
致谢 | 第162页 |