| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 课题研究的背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-14页 |
| 1.3 本文研究内容及章节安排 | 第14-16页 |
| 第2章 自适应波束形成理论及虚拟天线技术 | 第16-32页 |
| 2.1 自适应波束形成的数学模型 | 第16-17页 |
| 2.2 自适应波束形成准则 | 第17-22页 |
| 2.2.1 最小均方误差准则 | 第17-18页 |
| 2.2.2 最大信噪比准则 | 第18-19页 |
| 2.2.3 线性约束最小方差准则 | 第19页 |
| 2.2.4 相关参数和性能指标定义 | 第19-22页 |
| 2.3 基于高阶累积量法的虚拟天线技术 | 第22-28页 |
| 2.3.1 高阶累积量定义和性质 | 第22-23页 |
| 2.3.2 四阶累积量的阵列扩展特性 | 第23-28页 |
| 2.4 基于内插变换法的虚拟天线技术 | 第28-31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 第3章 虚拟天线技术在抗干扰中的应用研究 | 第32-44页 |
| 3.1 延推法理论模型 | 第32-35页 |
| 3.1.1 阵列信号数学模型 | 第32-33页 |
| 3.1.2 延推法原理 | 第33-35页 |
| 3.2 虚拟天线技术在抗干扰中的应用 | 第35-42页 |
| 3.2.1 各阵元虚拟拓展方法抗干扰波束图对比分析 | 第35-38页 |
| 3.2.2 延推法虚拟多同心圆环阵列抗干扰波束图对比分析 | 第38-40页 |
| 3.2.3 输出信干噪比性能的对比分析 | 第40-41页 |
| 3.2.4 抗干扰前后功率谱图对比分析 | 第41-42页 |
| 3.3 本章小结 | 第42-44页 |
| 第4章 阵元间的互耦对自适应波束形成的影响 | 第44-52页 |
| 4.1 互耦问题的描述 | 第44-47页 |
| 4.1.1 开路电压法 | 第44-46页 |
| 4.1.2 互阻抗法 | 第46-47页 |
| 4.2 阵元间互耦效应的影响 | 第47-48页 |
| 4.3 互耦对自适应波束形成影响的实验仿真研究 | 第48-50页 |
| 4.4 本章小结 | 第50-52页 |
| 第5章 阵列天线耦合自校正技术的研究 | 第52-66页 |
| 5.1 基于辅助阵元法的自适应波束形成技术 | 第52-56页 |
| 5.1.1 未知互耦矩阵时的自适应波束形成 | 第53-54页 |
| 5.1.2 基于线阵的耦合自校正技术仿真实验分析 | 第54-56页 |
| 5.2 平面阵列的耦合自校正技术 | 第56-65页 |
| 5.2.1 平面阵及其互耦矩阵的数学模型 | 第56-57页 |
| 5.2.2 基于秩损的平面阵自适应波束形成耦合自校正方法 | 第57-59页 |
| 5.2.3 基于辅助阵元的平面阵自适应波束形成耦合自校正方法 | 第59-62页 |
| 5.2.4 平面阵耦合自校正技术实验研究 | 第62-65页 |
| 5.3 本章小结 | 第65-66页 |
| 结论 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76页 |
