| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 低维半导体材料 | 第9-10页 |
| 1.2 低维半导体材料的应用 | 第10-12页 |
| 1.3 激子 | 第12页 |
| 1.4 本论文的主要工作 | 第12-13页 |
| 第二章 理论模型 | 第13-21页 |
| 2.1 有效质量包络函数近似 | 第13页 |
| 2.2 打靶法 | 第13-15页 |
| 2.3 变分法 | 第15-16页 |
| 2.4 激子结合能 | 第16-20页 |
| 2.5 本章小结 | 第20-21页 |
| 第三章 量子阱结构中激子结合能的研究 | 第21-28页 |
| 3.1 引言 | 第21页 |
| 3.2 理论计算 | 第21-22页 |
| 3.3 计算结果与讨论 | 第22-27页 |
| 3.3.1 单量子阱势能与电场之间的关系 | 第23页 |
| 3.3.2 激子结合能与阱宽以及 In、P 组分的关系 | 第23-25页 |
| 3.3.3 玻尔半径与阱宽的关系 | 第25页 |
| 3.3.4 电子和空穴的非相关概率 | 第25-26页 |
| 3.3.5 激子结合能与电场之间的关系 | 第26-27页 |
| 3.4 结论 | 第27-28页 |
| 第四章 量子线结构中激子结合能的研究 | 第28-35页 |
| 4.1 引言 | 第28页 |
| 4.2 理论计算 | 第28-32页 |
| 4.3 计算结果与讨论 | 第32-34页 |
| 4.3.1 激子结合能与量子线半径及 In、P 组分的关系 | 第32-33页 |
| 4.3.2 激子结合能与外电场的关系 | 第33-34页 |
| 4.3.3 激子的斯塔克能移与量子线半径及外电场的关系 | 第34页 |
| 4.4 结论 | 第34-35页 |
| 第五章 量子点结构中激子结合能的研究 | 第35-42页 |
| 5.1 引言 | 第35页 |
| 5.2 理论计算 | 第35-37页 |
| 5.3 计算结果与讨论 | 第37-41页 |
| 5.3.1 激子结合能与量子点尺寸及 In、P 组分的关系 | 第37-38页 |
| 5.3.2 玻尔半径与量子点尺寸的关系 | 第38-39页 |
| 5.3.3 波函数与电场的关系 | 第39-40页 |
| 5.3.4 激子结合能与外电场的关系 | 第40-41页 |
| 5.3.5 激子的斯塔克能移与量子线半径及外电场的关系 | 第41页 |
| 5.4 结论 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-46页 |
| 在校期间的研究成果及发表的学术论文 | 第46-47页 |
| 致谢 | 第47页 |
