| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 硅探测器 | 第9-12页 |
| 1.1.1 硅探测器概述 | 第9页 |
| 1.1.2 硅探测器发展历史 | 第9-10页 |
| 1.1.3 硅探测器的应用 | 第10-12页 |
| 1.2 国内外研究的几种主要的硅探测器 | 第12-15页 |
| 1.2.1 像素探测器 | 第12-13页 |
| 1.2.2 硅微条探测器 | 第13-14页 |
| 1.2.3 硅漂移探测器 | 第14-15页 |
| 1.2.4 三维柱状电极硅探测器 | 第15页 |
| 1.3 研究内容及选题依据 | 第15-17页 |
| 1.3.1 研究内容 | 第15-16页 |
| 1.3.2 选题依据 | 第16-17页 |
| 第2章 三维沟槽电极硅探测器结构设计与仿真研究 | 第17-28页 |
| 2.1 三维沟槽电极硅探测器结构设计 | 第17-23页 |
| 2.1.1 PIN型探测器工作原理 | 第17-19页 |
| 2.1.2 三维沟槽电极硅探测器形状的多样化与方形结构的选择 | 第19-20页 |
| 2.1.3 PN结间距、I层选择、以及PN结位置的选择 | 第20-23页 |
| 2.2 Silvaco TCAD软件介绍 | 第23-25页 |
| 2.2.1 软件概况 | 第23-24页 |
| 2.2.2 Atlas器件仿真软件介绍 | 第24-25页 |
| 2.3 仿真物理模型建立与仿真参数设置 | 第25-27页 |
| 2.3.1 仿真物理模型建立 | 第25-26页 |
| 2.3.2 仿真参数设置 | 第26-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 三维沟槽电极硅探测器的漏电流与击穿电压 | 第28-39页 |
| 3.1 漏电流的产生与影响 | 第28-29页 |
| 3.1.1 漏电流产生机理 | 第28-29页 |
| 3.1.2 漏电流对探测器性能的影响 | 第29页 |
| 3.2 三维沟槽电极硅探测器漏电流的仿真与结果 | 第29-31页 |
| 3.2.1 三维沟槽电极硅探测器漏电流的仿真 | 第29-30页 |
| 3.2.2 三维沟槽电极硅探测器漏电流随辐照强度的变化 | 第30-31页 |
| 3.3 探测器的击穿电压 | 第31-35页 |
| 3.3.1 探测器击穿电压对性能的影响 | 第32页 |
| 3.3.2 三维沟槽电极硅探测器的击穿电压 | 第32-35页 |
| 3.4 与三维柱状电极硅探测器的比较 | 第35-38页 |
| 3.4.1 与三维柱状电极硅探测器电场分布比较 | 第36-37页 |
| 3.4.2 与三维柱状电极硅探测器漏电流、击穿电压比较 | 第37-38页 |
| 3.5 本章小结 | 第38-39页 |
| 第4章 三维沟槽电极硅探测器探测器的电容与全耗尽电压 | 第39-50页 |
| 4.1 探测器的电容对探测器性能的影响 | 第39-40页 |
| 4.1.1 探测器电容的构成 | 第39页 |
| 4.1.2 电容对探测器性能的影响 | 第39-40页 |
| 4.2 三维沟槽电极硅探测器电容的仿真与结果 | 第40-44页 |
| 4.2.1 三维沟槽电极硅探测器电容的仿真 | 第41页 |
| 4.2.2 改变三维沟槽电极硅探测器中央电极长度和边长的仿真结果 | 第41-43页 |
| 4.2.3 与三维柱状电极硅探测器的电容比较 | 第43-44页 |
| 4.3 三维沟槽电极硅探测器的全耗尽电压 | 第44-48页 |
| 4.3.1 由电容电压曲线和电流电压曲线获得的全耗尽电压 | 第45-46页 |
| 4.3.2 由电势曲线与空穴浓度曲线获得的全耗尽电压 | 第46-48页 |
| 4.3.3 与三维柱状电极硅探测器耗尽电压的比较 | 第48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 第5章 总结与展望 | 第50-52页 |
| 5.1 论文总结 | 第50页 |
| 5.2 工作展望 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 个人简历、攻读学位期间发表的学术论文 | 第57页 |
