| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 1 绪论 | 第11-22页 |
| 1.1 异质结的基本概念 | 第11-13页 |
| 1.2 异质结的电学特性 | 第13-15页 |
| 1.3 异质结的制备 | 第15-16页 |
| 1.4 氮化镓材料 | 第16-19页 |
| 1.5 硅纳米孔柱阵列（Si-NPA） | 第19-20页 |
| 1.6 本文研究内容 | 第20-22页 |
| 2 Si-NPA的制备及氧化处理 | 第22-33页 |
| 2.1 Si-NPA的制备 | 第22-23页 |
| 2.2 Si-NPA光致发光性能研究 | 第23-32页 |
| 2.2.1 自然氧化对Si-NPA光致发光性能的影响 | 第23-27页 |
| 2.2.2 双氧水氧化对Si-NPA光致发光性能的影响 | 第27-29页 |
| 2.2.3 干法热氧化对Si-NPA光致发光性能的影响 | 第29-32页 |
| 2.3 本章小结 | 第32-33页 |
| 3 GaN/Si-NPA的制备与表征 | 第33-43页 |
| 3.1 GaN纳米结构的生长机理 | 第33-34页 |
| 3.2 催化剂的选择 | 第34-35页 |
| 3.3 硅纳米孔柱阵列（Si-NPA）的制备与金属催化剂Pt的沉积 | 第35-36页 |
| 3.4 GaN纳米结构的生长 | 第36页 |
| 3.5 不同生长温度对GaN纳米结构的影响 | 第36-39页 |
| 3.6 不同氨气流量对GaN纳米结构的影响 | 第39-42页 |
| 3.7 本章小结 | 第42-43页 |
| 4 界面氧化对GaN/Si-NPA电学性能的影响 | 第43-52页 |
| 4.1 GaN/Si-NPA双纳米异质结器件的制备 | 第43-44页 |
| 4.2 GaN/Si-NPA表面形貌和晶体结构表征 | 第44-45页 |
| 4.3 界面氧化层对GaN/Si-NPA的J-V特性的影响及电流输运机制探讨 | 第45-50页 |
| 4.3.1 界面氧化对正向电流输运特性的影响 | 第47-49页 |
| 4.3.2 界面氧化对反向电流输运特性的影响 | 第49-50页 |
| 4.4 本章小结 | 第50-52页 |
| 5 结论与展望 | 第52-54页 |
| 5.1 总结 | 第52-53页 |
| 5.2 展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 个人简历 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
