| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第11页 |
| 1.2 气体传感器简介 | 第11-13页 |
| 1.3 半导体式气体传感器简介 | 第13-14页 |
| 1.4 金属氧化物半导体气体传感器研究现状 | 第14-15页 |
| 1.5 气敏元件的制作及气敏性能测试 | 第15-16页 |
| 1.6 本论文的主要工作 | 第16-17页 |
| 第二章 Ni掺杂的α-MoO_3纳米片材料的制备及其气敏性能研究 | 第17-27页 |
| 2.1 引言 | 第17页 |
| 2.2 实验过程 | 第17-18页 |
| 2.2.1 Ni掺杂的α-MoO_3纳米片材料的制备 | 第17页 |
| 2.2.2 材料表征方法及仪器 | 第17-18页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第18-26页 |
| 2.3.1 材料表征分析 | 第18-21页 |
| 2.3.2 气敏性能研究 | 第21-25页 |
| 2.3.3 机理解释 | 第25-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 Al掺杂的In_2O_3微方块材料的制备及其气敏性能研究 | 第27-40页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 实验部分 | 第27-28页 |
| 3.2.1 Al掺杂的In_2O_3微方块材料的制备 | 第28页 |
| 3.2.2 材料表征方法及仪器 | 第28页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第28-39页 |
| 3.3.1 材料表征分析 | 第28-34页 |
| 3.3.2 In_2O_3材料微观形貌形成机理 | 第34页 |
| 3.3.3 气敏性能研究 | 第34-37页 |
| 3.3.4 机理解释 | 第37-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 In_2O_3纳米方块和ZnO/In_2O_3异质结材料的制备及其气敏性能研究 | 第40-49页 |
| 4.1 引言 | 第40页 |
| 4.2 实验部分 | 第40-41页 |
| 4.2.1 纯In_2O_3和ZnO/In_2O_3异质结材料的制备 | 第41页 |
| 4.2.2 材料表征方法及仪器 | 第41页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第41-48页 |
| 4.3.1 材料表征分析 | 第41-44页 |
| 4.3.2 微观形貌形成机理 | 第44页 |
| 4.3.3 气敏性能研究 | 第44-47页 |
| 4.3.4 机理解释 | 第47-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 结论 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-57页 |
| 作者简介及在学期间所取得的科研成果 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
