| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 纳米材料的简介 | 第10页 |
| 1.2 纳米材料的性质 | 第10-11页 |
| 1.3 纳米材料的制备方法 | 第11-12页 |
| 1.4 国内外纳米材料的研究状况及应用 | 第12-13页 |
| 1.4.1 国内外纳米材料的研究状况 | 第12-13页 |
| 1.4.2 纳米材料的应用 | 第13页 |
| 1.5 本论文的研究目的及意义 | 第13-15页 |
| 2 实验方法和原理 | 第15-21页 |
| 2.1 直流电弧法 | 第15-18页 |
| 2.1.1 直流电弧法原理 | 第15页 |
| 2.1.2 直流电弧放电实验装置 | 第15-17页 |
| 2.1.3 直流电弧法合成的优点 | 第17页 |
| 2.1.4 直流电弧放电实验过程 | 第17-18页 |
| 2.2 测试方法及仪器 | 第18-21页 |
| 2.2.1 实验材料及仪器 | 第18-19页 |
| 2.2.2 表征方法 | 第19-21页 |
| 3 α-Si3N4纳米材料的制备与表征 | 第21-29页 |
| 3.1 引言 | 第21-22页 |
| 3.2 α-Si3N4纳米材料的制备 | 第22页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第22-28页 |
| 3.3.1 α-Si3N4纳米线XRD表征与EDS表征 | 第22-24页 |
| 3.3.2 α-Si3N4纳米线的SEM、TEM、HRTEM、SAED表征 | 第24-25页 |
| 3.3.3 α-Si3N4纳米线生长机理的研究 | 第25-26页 |
| 3.3.4 α-Si3N4纳米线FTIR谱分析 | 第26-27页 |
| 3.3.5 α-Si3N4纳米线PL光谱表征 | 第27-28页 |
| 3.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 4 SiC纳米材料的制备与表征 | 第29-34页 |
| 4.1 引言 | 第29页 |
| 4.2 SiC纳米材料的制备 | 第29-30页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第30-33页 |
| 4.3.1 SiC纳米线的EDS、SEM表征 | 第30页 |
| 4.3.2 SiC纳米线的TEM表征 | 第30-31页 |
| 4.3.3 SiC纳米线的拉曼、XPS表征 | 第31-33页 |
| 4.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 5 硫化锌纳米材料的制备与表征 | 第34-40页 |
| 5.1 引言 | 第34页 |
| 5.2 ZnS纳米结构的制备 | 第34-35页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第35-39页 |
| 5.3.1 ZnS纳米结构的XRD、SEM以及拉曼表征 | 第35-36页 |
| 5.3.2 ZnS孪晶纳米结构的TEM、EDS表征 | 第36-37页 |
| 5.3.3 ZnS孪晶纳米材料发光性能的研究 | 第37-39页 |
| 5.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 6 ZnSe纳米材料的制备与表征 | 第40-49页 |
| 6.1 引言 | 第40页 |
| 6.2 ZnSe纳米材料的制备 | 第40-41页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第41-48页 |
| 6.3.1 ZnSe空心微米球的XRD表征 | 第41页 |
| 6.3.2 ZnSe空心微米球的SEM、EDS表征 | 第41-42页 |
| 6.3.3 ZnSe空心微米球的TEM、SAED表征 | 第42-43页 |
| 6.3.4 ZnSe空心微米球的拉曼表征 | 第43-44页 |
| 6.3.5 ZnSe空心微米球的发光性能研究 | 第44-47页 |
| 6.3.6 ZnSe空心微米球生长过程 | 第47-48页 |
| 6.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 总结与展望 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-59页 |
| 发表论文情况 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
