| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 研究背景 | 第11-42页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 二维原子晶体及其制备 | 第11-16页 |
| 1.2.1 石墨烯及其制备 | 第11-13页 |
| 1.2.2 六方氮化硼及其制备 | 第13-16页 |
| 1.3 二维原子晶体的外延生长 | 第16-28页 |
| 1.3.1 二维原子晶体与衬底的相互作用 | 第16-18页 |
| 1.3.2 二维原子晶体的尺寸和形貌 | 第18-20页 |
| 1.3.3 二维原子晶体的生长动力学 | 第20-23页 |
| 1.3.4 二维原子晶体的外延结构 | 第23-25页 |
| 1.3.5 多层二维原子晶体的生长 | 第25-27页 |
| 1.3.6 二维原子晶体异质结构 | 第27-28页 |
| 1.4 金属表面CVD生长二维原子晶体的调控 | 第28-40页 |
| 1.4.1 基底表面对生长的调控 | 第28-32页 |
| 1.4.2 生长气氛的影响 | 第32-36页 |
| 1.4.3 温度对生长的调控 | 第36-37页 |
| 1.4.4 次表层物种对金属表面化学的调控作用 | 第37-40页 |
| 1.5 本论文的研究出发点 | 第40-42页 |
| 第二章 实验综述 | 第42-53页 |
| 2.1 仪器简介 | 第42-46页 |
| 2.1.1 深紫外激光光发射电子显微镜/相差矫正低能电子显微镜 | 第42-44页 |
| 2.1.2 X射线光发射电子显微镜 | 第44页 |
| 2.1.3 Omicron多功能纳米探针系统 | 第44-45页 |
| 2.1.4 低温扫描隧道显微镜 | 第45-46页 |
| 2.2 表面分析技术及其原理 | 第46-51页 |
| 2.2.1 LEEM | 第46-48页 |
| 2.2.2 PEEM | 第48页 |
| 2.2.3 XPS | 第48-49页 |
| 2.2.4 STM | 第49-50页 |
| 2.2.5 AES | 第50-51页 |
| 2.3 实验方法 | 第51-53页 |
| 2.3.1 金属单晶及箔膜处理方法 | 第51页 |
| 2.3.2 气体和生长源 | 第51-52页 |
| 2.3.3 二维原子晶体的制备 | 第52-53页 |
| 第三章 次表层Ar增强的h-BN反常生长动力学研究 | 第53-63页 |
| 3.1 引言 | 第53-54页 |
| 3.2 Ru(0001)表面外延h-BN的生长 | 第54-55页 |
| 3.3 含次表层Ar原子的Ru(0001)表面外延h-BN的生长 | 第55-56页 |
| 3.4 两种Ru(0001)表面外延h-BN生长机理的讨论 | 第56-60页 |
| 3.5 两种Ru(0001)表面上外延石墨烯的生长 | 第60-62页 |
| 3.6 小结 | 第62-63页 |
| 第四章 次表层B调控h-BN外延结构的表面研究 | 第63-78页 |
| 4.1 引言 | 第63-64页 |
| 4.2 Ni(111)表面CVD生长h-BN | 第64-65页 |
| 4.3 含次表层B物种的Ni(111)表面的制备 | 第65-66页 |
| 4.4 Ni(111)表面氨化法生长h-BN | 第66-68页 |
| 4.5 外延和非外延h-BN与基底相互作用强度 | 第68-69页 |
| 4.6 次表层B含量对外延和非外延h-BN分布的影响 | 第69-71页 |
| 4.7 次表层B对Ni(111)表面h-BN生长调控的理论研究 | 第71-72页 |
| 4.8 非外延h-BN向外延h-BN的结构转变 | 第72-74页 |
| 4.9 CVD和氨化法生长h-BN生长动力学比较 | 第74-77页 |
| 4.10 结论 | 第77-78页 |
| 第五章 次表层碳表面偏析构建h-BN/石墨烯异质结的研究 | 第78-86页 |
| 5.1 引言 | 第78-79页 |
| 5.2 次表层C在Ni表面上的偏析 | 第79-80页 |
| 5.3 垂直堆垛的h-BN/石墨烯异质结结构的制备 | 第80-83页 |
| 5.4 水平拼接的h-BN/石墨烯异质结结构的制备 | 第83-85页 |
| 5.5 小结 | 第85-86页 |
| 第六章 石墨烯/Pt(111)表面H和O的插层-刻蚀反应动力学研究 | 第86-95页 |
| 6.1 引言 | 第86页 |
| 6.2 Pt(111)表面石墨烯的生长 | 第86-87页 |
| 6.3 石墨烯在H_2气氛中的刻蚀反应动力学 | 第87-90页 |
| 6.4 石墨烯在O_2气氛中的刻蚀反应动力学 | 第90-92页 |
| 6.5 石墨烯在H_2和O_2气氛中的刻蚀反应机理讨论 | 第92-94页 |
| 6.6 小结 | 第94-95页 |
| 第七章 结论与展望 | 第95-97页 |
| 参考文献 | 第97-122页 |
| 致谢 | 第122-123页 |
| 作者简介以及在学期间发表的学术论文和研究成果 | 第123-124页 |
