首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--一般性问题论文--基础理论论文--微波与超高频技术论文

射频前端在高功率毫米波辐射下的非线性研究

摘要第5-6页
abstract第6-7页
第一章 绪论第10-19页
    1.1 相控阵雷达的背景及意义第10-11页
    1.2 相控阵雷达T/R组件第11-13页
        1.2.1 T/R组件在有源相控阵雷达中的作用第11-12页
        1.2.2 T/R组件的发展概况第12-13页
    1.3 高功率微波效应第13-18页
        1.3.1 高功率微波武器及其特点第13-14页
        1.3.2 高功率效应及其作用对象第14-15页
        1.3.3 高功率微波效应的研究方法第15-16页
        1.3.4 高功率微波效应的研究现状第16-18页
    1.4 学位论文研究简述第18-19页
第二章 相控阵雷达T/R组件的原理第19-32页
    2.1 T/R组件的系统结构第19-22页
        2.1.1 T/R组件的组成第19-21页
        2.1.2 T/R组件的工作原理第21-22页
    2.2 T/R组件的技术要求与技术指标第22-23页
        2.2.1 T/R组件的技术要求第22页
        2.2.2 T/R组件的技术指标第22-23页
    2.3 放大器的理论基础与技术指标第23-29页
        2.3.1 噪声系数第23-25页
        2.3.2 功率增益第25-28页
        2.3.3 动态范围第28-29页
    2.4 移相器的理论与技术指标第29-31页
        2.4.1 移相器的分类第29-30页
        2.4.2 移相器的主要技术指标第30-31页
    2.5 小结第31-32页
第三章 Ka波段T/R组件的HPM压缩效应研究第32-45页
    3.1 HPM线性效应与非线性效应第32-33页
    3.2 非线性压缩效应的原理第33-35页
    3.3 Ka波段相控阵雷达T/R组件的非线性压缩效应实验研究第35-43页
        3.3.1 芯片的选型与测试夹具的加工第35-37页
        3.3.2 实验原理与平台搭建第37-38页
        3.3.3 实验的过程以及结果分析第38-43页
    3.4 小结第43-45页
第四章 Ka波段相控阵雷达T/R组件的HPM损伤效应研究第45-65页
    4.1 研究内容与测试指标第45-48页
    4.2 芯片的选型与测试平台的搭建第48-51页
        4.2.1 芯片的选型第48页
        4.2.2 测试平台的搭建第48-51页
    4.3 收发放大多功能芯片和幅相控制芯片的大功率脉冲测试第51-63页
        4.3.1 检波器与衰减器的标定第51-52页
        4.3.2 收发放大多功能芯片大功率脉冲测试第52-58页
        4.3.3 幅相控制芯片的大功率脉冲测试第58-63页
    4.4 Ka波段相控阵雷达T/R组件关键芯片的损伤机理研究第63-64页
    4.5 小结第64-65页
第五章 总结第65-66页
致谢第66-67页
参考文献第67-68页

论文共68页,点击 下载论文
上一篇:大功率毫米波频率选择表面的研究及其应用
下一篇:螺旋线行波管注波互作用数值模拟研究