65nm工艺下基于RRAM的非易失性SRAM单元设计
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-15页 |
| 1.1.1 题背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.1.2 存储器的分类与比较 | 第10-12页 |
| 1.1.3 国内外研究现状 | 第12-15页 |
| 1.2 本文的研究内容 | 第15页 |
| 1.3 论文结构 | 第15-17页 |
| 第2章 基于RRAM的非易失性SRAM原理及分析 | 第17-26页 |
| 2.1 SRAM整体结构 | 第17-18页 |
| 2.2 SRAM工作原理 | 第18-20页 |
| 2.3 RRAM原理分析及功能验证 | 第20-23页 |
| 2.3.1 RRAM基本原理 | 第20-21页 |
| 2.3.2 RRAM模型仿真验证 | 第21-23页 |
| 2.4 NVSRAM工作原理及分析 | 第23-25页 |
| 2.4.1 NVSRAM基本原理 | 第23-25页 |
| 2.4.2 NVSRAM操作流程 | 第25页 |
| 2.5 本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 基于RRAM的非易失性SRAM单元设计 | 第26-35页 |
| 3.1 单边接入理念 | 第26-31页 |
| 3.1.1 单边接入 | 第26-27页 |
| 3.1.2 多电源电压结构 | 第27-29页 |
| 3.1.3 多阈值电压结构 | 第29-31页 |
| 3.2 改进型9T1R非易失性SRAM单元设计 | 第31-34页 |
| 3.2.1 结构原理分析 | 第31-32页 |
| 3.2.2 时序仿真分析 | 第32-34页 |
| 3.3 本章小结 | 第34-35页 |
| 第4章 改进型非易失性SRAM单元性能分析 | 第35-51页 |
| 4.1 单元基本性能分析 | 第35-43页 |
| 4.1.1 保持能力 | 第35-37页 |
| 4.1.2 写能力 | 第37-40页 |
| 4.1.3 读能力 | 第40-43页 |
| 4.2 数据恢复率与恢复时间分析 | 第43-47页 |
| 4.2.1 恢复率 | 第43-46页 |
| 4.2.2 恢复速度 | 第46-47页 |
| 4.3 功耗分析 | 第47-50页 |
| 4.3.1 恢复功耗 | 第47-48页 |
| 4.3.2 动态功耗 | 第48-49页 |
| 4.3.3 静态保持功耗 | 第49-50页 |
| 4.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第5章 总结与展望 | 第51-53页 |
| 5.1 总结 | 第51页 |
| 5.2 展望 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 致谢 | 第57页 |
