| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-26页 |
| 1.1 引言 | 第13页 |
| 1.2 氧化钒薄膜制备技术及其研究现状 | 第13-17页 |
| 1.2.1 真空蒸发 | 第13-14页 |
| 1.2.2 脉冲激光沉积 | 第14-15页 |
| 1.2.3 化学气相沉积 | 第15-16页 |
| 1.2.4 溶胶凝胶法 | 第16页 |
| 1.2.5 溅射沉积 | 第16-17页 |
| 1.3 反应溅射及其工艺控制 | 第17-23页 |
| 1.3.1 反应溅射过程中的滞回效应与电弧放电等现象 | 第17-20页 |
| 1.3.1.1 滞回效应 | 第17-19页 |
| 1.3.1.2 电弧放电现象 | 第19-20页 |
| 1.3.2 反应溅射控制技术研究现状 | 第20-23页 |
| 1.3.2.1 提高抽速，增加靶-基距与阻止反应气体到达靶面法 | 第20-21页 |
| 1.3.2.2 脉冲式输入反应气体法 | 第21页 |
| 1.3.2.3 反应气体分压控制法 | 第21-22页 |
| 1.3.2.4 靶电压控制法 | 第22-23页 |
| 1.4 论文的主要研究方向与内容 | 第23-26页 |
| 1.4.1 选题依据与研究意义 | 第23-24页 |
| 1.4.2 主要研究内容 | 第24-25页 |
| 1.4.3 论文结构安排 | 第25-26页 |
| 第二章 氧化钒薄膜的制备与测试表征方法 | 第26-45页 |
| 2.1 引言 | 第26页 |
| 2.2 脉冲磁控溅射技术原理及其特点 | 第26-31页 |
| 2.3 薄膜生长 | 第31-36页 |
| 2.4 实验设备与实验步骤 | 第36-37页 |
| 2.4.1 脉冲反应磁控溅射镀膜机简介 | 第36-37页 |
| 2.4.2 实验材料与步骤 | 第37页 |
| 2.5 氧化钒薄膜的分析与测试 | 第37-45页 |
| 2.5.1 台阶仪 | 第37-39页 |
| 2.5.2 X射线光电子能谱 | 第39-40页 |
| 2.5.3 原子力显微分析 | 第40页 |
| 2.5.4 场发射扫描电镜测试 | 第40-41页 |
| 2.5.5 X射线衍射分析 | 第41-42页 |
| 2.5.6 光谱椭偏测试 | 第42-43页 |
| 2.5.7 薄膜电学性能测试设备与方法 | 第43-45页 |
| 第三章 反应气氛与占空比对氧化钒薄膜生长及其特性的影响 | 第45-67页 |
| 3.1 引言 | 第45-46页 |
| 3.2 氧化钒薄膜的制备及其分析测试 | 第46-47页 |
| 3.2.1 样品制备 | 第46页 |
| 3.2.2 样品分析测试 | 第46-47页 |
| 3.3 占空比和氧流量对薄膜沉积速率的影响 | 第47-49页 |
| 3.4 薄膜表面形貌研究 | 第49-51页 |
| 3.5 薄膜晶态研究 | 第51-53页 |
| 3.6 氧化钒组分及其价态分析 | 第53-57页 |
| 3.7 薄膜光学特性 | 第57-63页 |
| 3.7.1 椭偏数据处理与拟合结果 | 第57-60页 |
| 3.7.2 占空比对氧化钒薄膜光学常数的影响 | 第60页 |
| 3.7.3 占空比对氧化钒薄膜透过率的影响 | 第60-61页 |
| 3.7.4 占空比对氧化钒薄膜光学带隙的影响 | 第61-63页 |
| 3.8 薄膜电学特性 | 第63-65页 |
| 3.9 本章小结 | 第65-67页 |
| 第四章 脉冲频率对氧化钒薄膜生长及其特性的影响 | 第67-93页 |
| 4.1 引言 | 第67-68页 |
| 4.2 氧化钒薄膜的制备及其分析测试 | 第68-69页 |
| 4.2.1 样品制备 | 第68页 |
| 4.2.2 样品分析测试 | 第68-69页 |
| 4.3 脉冲频率对薄膜沉积速率的影响 | 第69-72页 |
| 4.4 脉冲频率对薄膜微观结构及其生长模式的影响 | 第72-77页 |
| 4.5 薄膜表面形貌研究 | 第77-79页 |
| 4.6 氧化钒组分及其价态研究 | 第79-83页 |
| 4.7 薄膜晶态研究 | 第83-85页 |
| 4.8 薄膜光学特性 | 第85-90页 |
| 4.8.1 椭偏数据拟合结果 | 第85-86页 |
| 4.8.2 脉冲频率对氧化钒薄膜光学常数的影响 | 第86-87页 |
| 4.8.3 脉冲频率对氧化钒薄膜透过率，反射率和吸收率的影响 | 第87-89页 |
| 4.8.4 脉冲频率对氧化钒薄膜光学带隙的影响 | 第89-90页 |
| 4.9 薄膜电学特性 | 第90-91页 |
| 4.10本章小结 | 第91-93页 |
| 第五章 氩气流量对脉冲反应磁控溅射氧化钒薄膜生长及其特性的影响 | 第93-115页 |
| 5.1 引言 | 第93页 |
| 5.2 氧化钒薄膜的制备及其分析测试 | 第93-94页 |
| 5.2.1 样品制备 | 第93-94页 |
| 5.2.2 样品分析测试 | 第94页 |
| 5.3 氩气流量对薄膜沉积速率的影响 | 第94-99页 |
| 5.4 氩气流量对薄膜微观结构的影响 | 第99-102页 |
| 5.5 薄膜表面形貌研究 | 第102-104页 |
| 5.6 氧化钒组分及其价态研究 | 第104-106页 |
| 5.7 薄膜晶态研究 | 第106-107页 |
| 5.8 薄膜光学特性 | 第107-111页 |
| 5.8.1 椭偏数据拟合结果 | 第107-109页 |
| 5.8.2 氩气流量对氧化钒薄膜透过率，反射率和吸收率的影响 | 第109-110页 |
| 5.8.3 氩气流量对氧化钒薄膜光学带隙的影响 | 第110-111页 |
| 5.9 薄膜电学特性 | 第111-113页 |
| 5.10本章小结 | 第113-115页 |
| 第六章 结论与展望 | 第115-119页 |
| 6.1 全文工作总结 | 第115-116页 |
| 6.2 论文的主要创新点 | 第116-117页 |
| 6.3 后续工作及展望 | 第117-119页 |
| 致谢 | 第119-120页 |
| 参考文献 | 第120-147页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第147-149页 |
