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F掺杂SnO2薄膜的电子输运性质研究

摘要第3-4页
ABSTRACT第4-5页
第一章 前言第8-24页
    1.1 透明导电氧化物薄膜概述第8-10页
        1.1.1 FTO 薄膜第8-9页
        1.1.2 AZO 薄膜第9-10页
    1.2 玻尔兹曼输运方程第10-16页
        1.2.1 电阻率第11-12页
        1.2.2 热电势第12-16页
    1.3 量子效应对电导率的修正第16-22页
        1.3.1 弱局域效应第16-21页
        1.3.2 电子-电子相互作用第21-22页
    1.4 退火对 TCO 薄膜光电性质的影响第22-23页
    1.5 本论文的主要工作第23-24页
第二章 样品制备与表征第24-34页
    2.1 样品热处理条件第24页
    2.2 样品的表征第24-34页
        2.2.1 样品的厚度测量第24页
        2.2.2 样品的结构表征第24-25页
        2.2.3 样品的形貌表征第25-28页
        2.2.4 光学性质测量第28-29页
        2.2.5 电学性质测量第29-34页
第三章 FTO 薄膜的物性研究第34-50页
    3.1 FTO 薄膜的成分、结构及形貌分析第34-37页
        3.1.1 FTO 薄膜的成分分析第34-35页
        3.1.2 FTO 薄膜的 XRD 结果分析第35页
        3.1.3 FTO 薄膜的 SEM 以及 AFM 结果分析第35-37页
    3.2 FTO 薄膜的光学结果分析第37-39页
        3.2.1 FTO 薄膜的透射谱及光学带隙第37-38页
        3.2.2 FTO 薄膜的光致发光性质第38-39页
    3.3 FTO 薄膜的电输运性质研究第39-49页
        3.3.1 FTO 薄膜的金属导电特性第39-45页
        3.3.2 FTO 薄膜的量子效应对电导率的修正第45-49页
    3.5 本章小结第49-50页
第四章 退火对透明导电氧化物薄膜性能的影响第50-65页
    4.1 退火对 FTO 薄膜结构和光电性能的影响第50-61页
        4.1.1 退火对 FTO 薄膜结构和形貌的影响第50-53页
        4.1.2 退火对 FTO 薄膜光学性质的影响第53-56页
        4.1.3 退火对 FTO 薄膜电学性质的影响第56-61页
    4.2 退火对 AZO 薄膜结构和光电性能的影响第61-64页
        4.2.1 退火对 AZO 薄膜形貌的影响第62页
        4.2.2 退火对 AZO 薄膜光学性质的影响第62-63页
        4.2.3 退火对 AZO 薄膜电学性质的影响第63-64页
    4.3 本章小结第64-65页
第五章 结论第65-67页
参考文献第67-74页
发表论文和参加科研情况说明第74-75页
致谢第75页

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