过渡金属元素掺杂对钛酸锶电子结构和光学性质的影响
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 插图索引 | 第10-12页 |
| 附表索引 | 第12-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-27页 |
| 1.1 引言 | 第13页 |
| 1.2 半导体光催化剂材料概述 | 第13-19页 |
| 1.2.1 半导体光催化剂发展概况 | 第13-14页 |
| 1.2.2 纳米半导体材料的光催化原理 | 第14-16页 |
| 1.2.3 半导体光催化材料技术 | 第16-19页 |
| 1.3 钙钛矿型氧化物概述 | 第19-21页 |
| 1.3.1 钙钛矿型氧化物简介 | 第19页 |
| 1.3.2 钙钛矿型氧化物的晶体结构 | 第19-20页 |
| 1.3.3 钙钛矿型氧化物的能带结构 | 第20页 |
| 1.3.4 钛酸锶半导体纳米材料的物理特性 | 第20-21页 |
| 1.4 酸锶光催化剂研究现状 | 第21-25页 |
| 1.4.1 钛酸锶光催化剂的制备方法 | 第21-23页 |
| 1.4.2 钛酸锶光催化剂的改性研究现状 | 第23-25页 |
| 1.4.3 钛酸锶光催化剂研究进展 | 第25页 |
| 1.5 论文思路及内容 | 第25-27页 |
| 第2章 第一性原理方法简介 | 第27-31页 |
| 2.1 引言 | 第27页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第27-29页 |
| 2.2.1 密度泛函理论简介 | 第27-28页 |
| 2.2.2 Henberg-Kohn定理 | 第28页 |
| 2.2.3 Kohn-Sham方程 | 第28-29页 |
| 2.2.4 局域密度近似 | 第29页 |
| 2.2.5 广义梯度近似 | 第29页 |
| 2.3 赝势平面波方法 | 第29-30页 |
| 2.4 能带电子的平面波基地展开 | 第30-31页 |
| 第3章 Rh掺杂的SrTiO_3的计算 | 第31-39页 |
| 3.1 引言 | 第31-32页 |
| 3.2 计算方法和模型 | 第32-33页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第33-38页 |
| 3.3.1 晶格常数 | 第33-34页 |
| 3.3.2 杂质形成能 | 第34页 |
| 3.3.3 能带结构 | 第34-36页 |
| 3.3.4 态密度 | 第36-37页 |
| 3.3.5 吸收谱 | 第37-38页 |
| 3.4 总结 | 第38-39页 |
| 第4章 Pd掺杂SrTiO_3的计算 | 第39-47页 |
| 4.1 引言 | 第39-40页 |
| 4.2 计算模型与方法 | 第40页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第40-45页 |
| 4.3.1 晶格常数 | 第40-41页 |
| 4.3.2 杂质形成能 | 第41页 |
| 4.3.3 能带结构 | 第41-43页 |
| 4.3.4 态密度 | 第43-45页 |
| 4.3.5 吸收谱 | 第45页 |
| 4.4 总结 | 第45-47页 |
| 第5章 Ag掺杂SrTiO_3的计算 | 第47-54页 |
| 5.1 引言 | 第47页 |
| 5.2 计算模型与方法 | 第47-48页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第48-53页 |
| 5.3.1 晶格常数 | 第48-49页 |
| 5.3.2 杂质形成能 | 第49页 |
| 5.3.3 能带结构 | 第49-51页 |
| 5.3.4 态密度 | 第51-52页 |
| 5.3.5 吸收谱 | 第52-53页 |
| 5.4 总结 | 第53-54页 |
| 结论与展望 | 第54-55页 |
| 结论 | 第54页 |
| 展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 附录A 攻读硕士学位期间发表的学术论文目录 | 第65页 |
