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SRAM芯片内自修复模块设计与实现

致谢第5-6页
摘要第6-7页
ABSTRACT第7页
序言第9-12页
1 引言第12-18页
    1.1 存储芯片发展趋势与遇到的问题第12-13页
    1.2 自修复国内外研究现状第13-16页
    1.3 主要难点第16-17页
    1.4 论文主要研究目标以及章节安排第17-18页
2 SRAM故障分类第18-22页
    2.1 SRAM功能结构第18-19页
    2.2 SRAM故障类型第19-21页
        2.2.1 单元故障类型第19-20页
        2.2.2 存储器故障地址类型第20-21页
    2.3 故障检测第21页
    2.4 本章小结第21-22页
3 自修复方案第22-36页
    3.1 RM自修复第22-30页
    3.2 ESP自修复第30-33页
    3.3 RR自修复第33-35页
    3.4 本章小结第35-36页
4 自修复芯片设计与成本分析第36-65页
    4.1 自修复芯片设计第36-56页
        4.1.1 整体模块划分第37-38页
        4.1.2 模块实现与前端仿真第38-49页
        4.1.3 逻辑综合第49-51页
        4.1.4 静态时序分析第51-53页
        4.1.5 后端设计第53-56页
    4.2 成本分析第56-64页
        4.2.1 修复率分析第56-60页
        4.2.2 面积占比分析第60-61页
        4.2.3 测试时间成本分析第61-62页
        4.2.4 芯片成本分析第62-64页
    4.3 本章小结第64-65页
5 结论第65-66页
参考文献第66-69页
索引第69-70页
作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果第70-72页
学位论文数据集第72页

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