| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 基于SIP技术的X波段T/R组件封装技术研究背景 | 第9-10页 |
| 1.1.1 系统级封装概述 | 第9页 |
| 1.1.2 T/R组件封装的电磁兼容性 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状和发展趋势 | 第10-16页 |
| 1.2.1 国外研究动态 | 第10-13页 |
| 1.2.2 国内研究动态 | 第13-16页 |
| 1.3 本文主要研究内容与重要意义 | 第16-17页 |
| 第二章T/R组件的封装方案 | 第17-34页 |
| 2.1 T/R组件技术指标要求 | 第17页 |
| 2.2 T/R组件封装方案设计 | 第17-22页 |
| 2.2.1 总体方案设计及电路实施方案 | 第17-19页 |
| 2.2.2 封装方案设计 | 第19-22页 |
| 2.3 仿真分析 | 第22-32页 |
| 2.3.1 收发支路空腔谐振 | 第23-26页 |
| 2.3.2 收发支路装配腔谐振 | 第26-29页 |
| 2.3.3 T/R组件总体设计 | 第29-32页 |
| 2.4 优化仿真 | 第32-33页 |
| 2.5 小结 | 第33-34页 |
| 第三章T/R组件的电磁兼容设计 | 第34-47页 |
| 3.1 基于封装的电磁兼容设计 | 第35-37页 |
| 3.1.1 T/R组件电磁兼容三要素分析 | 第35-36页 |
| 3.1.2 接收通道电磁兼容特性 | 第36-37页 |
| 3.2 T/R组件电磁兼容设计方案 | 第37-41页 |
| 3.2.1 理论分析 | 第37-38页 |
| 3.2.2 电磁兼容设计 | 第38-41页 |
| 3.3 T/R组件电磁兼容设计的仿真分析 | 第41-45页 |
| 3.3.1 加金属化接地约束孔的微带传输结构仿真 | 第41-42页 |
| 3.3.2 金属隔墙仿真 | 第42-45页 |
| 3.4 T/R组件电磁兼容设计方案优化 | 第45-46页 |
| 3.5 小结 | 第46-47页 |
| 第四章 键合互连对封装的影响 | 第47-58页 |
| 4.1 金丝键合特性研究 | 第47-49页 |
| 4.2 金丝键合仿真分析 | 第49-57页 |
| 4.2.1 键合金丝数量影响分析 | 第50-51页 |
| 4.2.2 传输线上键合位置影响分析 | 第51-53页 |
| 4.2.3 键合金丝直径影响分析 | 第53-54页 |
| 4.2.4 键合金丝拱高影响分析 | 第54-56页 |
| 4.2.5 键合金丝长度影响分析 | 第56-57页 |
| 4.3 小结 | 第57-58页 |
| 第五章 T/R组件的封装测试 | 第58-68页 |
| 5.1 接收支路装配与测试分析 | 第59-63页 |
| 5.1.1 逐级封装测试与分析 | 第59-61页 |
| 5.1.2 系统封装测试与分析 | 第61-63页 |
| 5.1.2.1 金属隔墙测试结果 | 第62-63页 |
| 5.2 发射支路装配与测试分析 | 第63-64页 |
| 5.3 T/R组件总体实物装配 | 第64-66页 |
| 5.4 实验验证分析与改良方案 | 第66-67页 |
| 5.5 小结 | 第67-68页 |
| 第六章 全文工作总结与展望 | 第68-70页 |
| 6.1 本文的主要贡献 | 第68-69页 |
| 6.2 下一步工作展望 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-74页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第74-75页 |