| 摘要 | 第9-11页 |
| Abstract | 第11-13页 |
| 引言 | 第14-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-37页 |
| 1.1 电容器的发展史 | 第16-18页 |
| 1.2 电容器的基本参数 | 第18-19页 |
| 1.3 电容器的结构 | 第19-22页 |
| 1.4 透明电容器的研究现状 | 第22-23页 |
| 1.5 透明电极 | 第23-33页 |
| 1.5.1 ZnO基透明导电薄膜 | 第23-26页 |
| 1.5.2 基于纳米结构的透明电极 | 第26-30页 |
| 1.5.3 透明的复合电极 | 第30-33页 |
| 1.6 高κ材料介质层 | 第33-37页 |
| 1.6.1 高κ材料简介 | 第33-35页 |
| 1.6.2 高κ材料的选择 | 第35-37页 |
| 第二章 材料制备方法和表征手段 | 第37-53页 |
| 2.1 原子层沉积 | 第37-44页 |
| 2.1.1 原子层沉积技术简介 | 第37页 |
| 2.1.2 原子层沉积技术的基本原理 | 第37-40页 |
| 2.1.3 原子层沉积薄膜的特点 | 第40-43页 |
| 2.1.4 原子层沉积设备结构 | 第43-44页 |
| 2.2 光刻与刻蚀技术 | 第44-46页 |
| 2.2.1 光刻技术 | 第44-45页 |
| 2.2.2 刻蚀技术 | 第45-46页 |
| 2.3 扫描电子显微镜 | 第46-47页 |
| 2.4 原子力显微镜 | 第47-49页 |
| 2.5 X射线光电子能谱 | 第49-50页 |
| 2.6 紫外-可见分光光度计 | 第50-51页 |
| 2.7 椭偏仪 | 第51页 |
| 2.8 半导体参数分析仪 | 第51-53页 |
| 第三章 透明平板电容器的制备及物性研究 | 第53-64页 |
| 3.1 引言 | 第53-54页 |
| 3.2 ALD生长薄膜的工艺 | 第54-56页 |
| 3.2.1 ALD生长AZO薄膜 | 第54-55页 |
| 3.2.2 ALD生长TiO_2薄膜 | 第55-56页 |
| 3.3 电容器的制备工艺 | 第56-57页 |
| 3.4 结果与讨论 | 第57-63页 |
| 3.4.1 电容器的电学性能 | 第57-59页 |
| 3.4.2 电容器的漏电分析 | 第59-63页 |
| 3.5 本章小结 | 第63-64页 |
| 第四章 透明平板电容器的性能优化 | 第64-73页 |
| 4.1 引言 | 第64-65页 |
| 4.2 AZO/AgNW/AZO复合电极及电容器的制备工艺 | 第65-66页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第66-72页 |
| 4.4 本章小结 | 第72-73页 |
| 第五章 基于AAO模板的纳米结构电容器 | 第73-81页 |
| 5.1 引言 | 第73-74页 |
| 5.2 AAO电容器的制备方法 | 第74页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第74-79页 |
| 5.4 本章小结 | 第79-81页 |
| 第六章 透明柔性电容器 | 第81-93页 |
| 6.1 引言 | 第81-82页 |
| 6.2 基于ITO底电极的透明柔性电容器 | 第82-85页 |
| 6.2.1 器件制备工艺 | 第82页 |
| 6.2.2 结果与讨论 | 第82-85页 |
| 6.3 基于AZO/AgNW/ITO底电极的透明柔性电容器 | 第85-87页 |
| 6.3.1 器件制备工艺 | 第85页 |
| 6.3.2 结果与讨论 | 第85-87页 |
| 6.4 基于AZO底电极的透明柔性电容器 | 第87-92页 |
| 6.4.1 器件制备工艺 | 第87-88页 |
| 6.4.2 结果与讨论 | 第88-92页 |
| 6.5 本章小结 | 第92-93页 |
| 第七章 基于ZnO沟道的薄膜晶体管 | 第93-100页 |
| 7.1 引言 | 第93页 |
| 7.2 薄膜晶体管的基本原理 | 第93-94页 |
| 7.3 薄膜晶体管的性能参数 | 第94-95页 |
| 7.4 器件制备工艺 | 第95-96页 |
| 7.5 结果与讨论 | 第96-99页 |
| 7.6 本章小结 | 第99-100页 |
| 第八章 总结与展望 | 第100-102页 |
| 8.1 主要研究成果 | 第100-101页 |
| 8.2 展望 | 第101-102页 |
| 参考文献 | 第102-115页 |
| 攻读博士学位期间的获奖情况和发表的学术论文 | 第115-117页 |
| 致谢 | 第117-118页 |