摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第10-20页 |
1.1 引言 | 第10-11页 |
1.2 电阻式随机存储器(RRAM)研究进展 | 第11-15页 |
1.2.1 电阻转变材料研究现状 | 第11-13页 |
1.2.2 电极材料研究现状 | 第13-15页 |
1.3 Pr(Sr_(0.1)Ca_(0.9))_2Mn_2O_7材料研究现状 | 第15-18页 |
1.4 本文研究意义和内容 | 第18-20页 |
第二章 薄膜制备与表征 | 第20-42页 |
2.1 靶材制备和表征 | 第20-22页 |
2.2 薄膜的脉冲激光沉积生长和表征 | 第22-25页 |
2.2.1 脉冲激光沉积介绍 | 第22-25页 |
2.2.2 薄膜生长 | 第25页 |
2.3 直流磁控溅射沉积和电极制备 | 第25-27页 |
2.4 薄膜结构测试方法 | 第27-28页 |
2.5 沉积温度对PSCMO/Pt薄膜生长的影响 | 第28-29页 |
2.6 沉积距离对PSCMO/Pt薄膜生长的影响 | 第29-30页 |
2.7 氧压对PSCMO/Pt薄膜生长的影响 | 第30-32页 |
2.8 沉积次数对PSCMO/Pt薄膜生长、形貌以及光吸收特性的影响 | 第32-38页 |
2.9 不同氧压下PSCMO/STO薄膜的制备 | 第38-42页 |
第三章 电致电阻特性的研究 | 第42-52页 |
3.1 前言 | 第42页 |
3.2 不同微观结构的Ti/PSCMO/Pt三明治结构电阻转变性质研究 | 第42-46页 |
3.2.1 样品制备 | 第42-43页 |
3.2.2 结果与讨论 | 第43-45页 |
3.2.3 电阻转变机制讨论 | 第45-46页 |
3.2.4 小结 | 第46页 |
3.3 不同金属顶电极M/PSCMO/Pt异质结的电致电阻特性 | 第46-52页 |
3.3.1 样品制备 | 第47页 |
3.3.2 结果与讨论 | 第47-49页 |
3.3.3 电阻转变机制讨论 | 第49-51页 |
3.3.4 小结 | 第51-52页 |
第四章 结论与展望 | 第52-55页 |
4.1 论文总结 | 第52-53页 |
4.2 论文创新点 | 第53页 |
4.3 展望和建议 | 第53-55页 |
参考文献 | 第55-63页 |
致谢 | 第63-64页 |
攻读学位期间取得的科研成果清单 | 第64页 |