纳米Cul薄膜和富勒烯结构MoS2的合成及表征
摘要 | 第3-5页 |
ABSTRACT | 第5-6页 |
目录 | 第7-10页 |
1 绪论 | 第10-21页 |
1.1 引言 | 第10页 |
1.2 纳米材料概述 | 第10-13页 |
1.2.1 什么是纳米材料 | 第10-11页 |
1.2.2 纳米材料的特性与应用 | 第11页 |
1.2.3 纳米材料的制备 | 第11-13页 |
1.3 半导体CuI纳米结构的研究意义及制备方法 | 第13-16页 |
1.3.1 CuI的应用 | 第13-14页 |
1.3.2 CuI的制备方法 | 第14-16页 |
1.4 MoS_2纳米材料的研究意义及制备方法 | 第16-18页 |
1.4.1 MoS_2的性质 | 第17页 |
1.4.2 MoS_2的应用 | 第17-18页 |
1.4.3 MoS_2的制备 | 第18页 |
1.5 本论文的主要工作 | 第18-21页 |
2 化学液相法合成半导体CuI薄膜及表征 | 第21-28页 |
2.1 前言 | 第21-22页 |
2.2 实验 | 第22-23页 |
2.2.1. 实验所用原料与设备 | 第22页 |
2.2.2. CuI纳米晶的制备 | 第22-23页 |
2.2.3 CuI薄膜的制备 | 第23页 |
2.3 结果与讨论 | 第23-27页 |
2.3.1 CuI纳米晶的表征 | 第23-25页 |
2.3.2 CuI薄膜的表征 | 第25-27页 |
2.4 结论 | 第27-28页 |
3 电化学制备CuI薄膜及表征 | 第28-36页 |
3.1 前言 | 第28页 |
3.2 实验 | 第28-30页 |
3.2.1. 实验所用原料与设备 | 第28-29页 |
3.2.2. ITO导电玻璃衬底的处理 | 第29页 |
3.2.3. 电化学沉积溶液的配制 | 第29页 |
3.2.4. 电沉积 | 第29-30页 |
3.3 结果与讨论 | 第30-35页 |
3.3.1 络合剂的选择及其作用 | 第30-31页 |
3.3.2 电化学制备的薄膜的性能 | 第31-33页 |
3.3.3 薄膜取向的生长机制 | 第33-35页 |
3.4 结论 | 第35-36页 |
4 水热法合成硫化铝纳米材料及表征 | 第36-46页 |
4.1 前言 | 第36-38页 |
4.2 实验 | 第38-39页 |
4.2.1 实验所用试剂与仪器 | 第38页 |
4.2.2 MoS_2纳米晶的制备 | 第38-39页 |
4.3 结果与讨论 | 第39-45页 |
4.3.1 MoS_2物相分析 | 第39-42页 |
4.3.2 MoS_2形貌分析 | 第42-44页 |
4.3.3 反应原理讨论 | 第44-45页 |
4.4 结论 | 第45-46页 |
5 水热法制备MoS_2纳米花及表征 | 第46-53页 |
5.1 前言 | 第46-47页 |
5.2 实验 | 第47页 |
5.2.1. 实验所用原料与设备 | 第47页 |
5.2.2. MoS_2纳米晶的制备 | 第47页 |
5.3 结果与讨论 | 第47-52页 |
5.3.1 MoS_2结构表征 | 第47-49页 |
5.3.2 MoS_2形貌表征 | 第49-50页 |
5.3.3 MoS_2拉曼光谱 | 第50-51页 |
5.3.4 反应机理讨论 | 第51-52页 |
5.5 结论 | 第52-53页 |
6 总结和展望 | 第53-55页 |
参考文献 | 第55-64页 |
攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第64-65页 |
致谢 | 第65-67页 |