| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 2H-SiC材料的品体结构和基本性质 | 第9-12页 |
| 1.1.1 2H-SiC晶体结构 | 第9-11页 |
| 1.1.2 2H-SiC的基本性质 | 第11页 |
| 1.1.3 一维SiC纳米线材料的性能及应用 | 第11-12页 |
| 1.2 2H-SiC材料的研究现状 | 第12-13页 |
| 1.2.1 理论模拟研究现状 | 第12-13页 |
| 1.2.2 实验研究现状 | 第13页 |
| 1.3 2H-SiC微纳米晶体材料的制备方法 | 第13-15页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 理论计算方法及2H-SiC体材料的理论计算 | 第17-29页 |
| 2.1 第一性原理与计算方法简介 | 第17-22页 |
| 2.1.1 Born-Oppenheimer近似和Hartree-Fook近似 | 第17-18页 |
| 2.1.2 密度泛函理论 | 第18-20页 |
| 2.1.3 赝势平面波理论 | 第20-21页 |
| 2.1.4 CASTEP软件包简介 | 第21-22页 |
| 2.2 2H-SiC体材料理论模型和计算方法 | 第22-24页 |
| 2.2.1 理论模型 | 第22页 |
| 2.2.2 计算方法 | 第22-24页 |
| 2.3 结果分析 | 第24-27页 |
| 2.3.1 晶体结构分析 | 第24-25页 |
| 2.3.2 Mulliken布局分析 | 第25-26页 |
| 2.3.3 能带结构和态密度分析 | 第26-27页 |
| 2.4 小结 | 第27-29页 |
| 第三章 2H-SiC纳米线材料光学性质研究 | 第29-41页 |
| 3.1 理论模型和计算方法 | 第29-32页 |
| 3.1.1 理论模型 | 第29-30页 |
| 3.1.2 计算方法 | 第30-32页 |
| 3.2 结果分析 | 第32-39页 |
| 3.2.1 几何结构和稳定性分析 | 第32-34页 |
| 3.2.2 能带结构和态密度分析 | 第34-36页 |
| 3.2.3 光学性质分析 | 第36-39页 |
| 3.3 小结 | 第39-41页 |
| 第四章 掺杂2H-SiC纳米线材料光学性质研究 | 第41-53页 |
| 4.1 理论模型和计算方法 | 第41-42页 |
| 4.1.1 理论模型 | 第41-42页 |
| 4.1.2 计算方法 | 第42页 |
| 4.2 结果分析 | 第42-51页 |
| 4.2.1 几何结构和稳定性分析 | 第42-43页 |
| 4.2.2 能带结构和态密度分析 | 第43-47页 |
| 4.2.3 光学性质分析 | 第47-51页 |
| 4.3 小结 | 第51-53页 |
| 第五章 2H-SiC的溶剂热法制备 | 第53-63页 |
| 5.1 2H-SiC制备工艺设计 | 第53-55页 |
| 5.1.1 实验方案和流程 | 第53-54页 |
| 5.1.2 实验原料和设备 | 第54-55页 |
| 5.1.3 实验结果表征方法 | 第55页 |
| 5.2 2H-SiC的合成和表征分析 | 第55-61页 |
| 5.2.1 以温度为单因素实验 | 第55-56页 |
| 5.2.2 实验分析与表征 | 第56-61页 |
| 5.3 小结 | 第61-63页 |
| 第六章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 6.1 工作总结 | 第63-64页 |
| 6.2 展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-73页 |
| 攻读硕士期间取得的学术成果 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75页 |