双断口真空断路器电弧磁场调控的研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 多断口真空断路器及其关键特性的研究现状 | 第9-12页 |
| 1.2.1 多断口真空断路器的研究现状 | 第9-11页 |
| 1.2.2 多断口真空开关关键特性的研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 真空断路器磁场调控的研究现状与意义 | 第12-13页 |
| 1.3.1 真空断路器磁场调控研究现状 | 第12-13页 |
| 1.3.2 研究意义 | 第13页 |
| 1.4 本文内容及章节安排 | 第13-15页 |
| 2 真空电弧的磁场调控机理 | 第15-27页 |
| 2.1 真空电弧的特点 | 第15-16页 |
| 2.2 双断口真空断路器电弧的模型 | 第16-18页 |
| 2.2.1 双断口真空断路器电弧模型的建立 | 第16-17页 |
| 2.2.2 断口真空断路器电弧的特点 | 第17-18页 |
| 2.3 真空电弧与磁场 | 第18-25页 |
| 2.3.1 触头磁场对真空电弧的作用 | 第18-20页 |
| 2.3.2 外加磁场对真空电弧的作用 | 第20-25页 |
| 2.4 磁场对弧后电压分布的影响 | 第25-26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-27页 |
| 3 双断口真空断路器磁场仿真分析 | 第27-38页 |
| 3.1 双断口真空断路器磁场仿真平台简介 | 第27页 |
| 3.2 不同触头结构灭弧室磁场分布仿真分析 | 第27-32页 |
| 3.2.1 纵磁触头灭弧室磁场分布仿真分析 | 第28-30页 |
| 3.2.2 横磁触头灭弧室磁场分布仿真分析 | 第30-32页 |
| 3.3 布置方式对磁场影响仿真分析 | 第32-37页 |
| 3.3.1 单个平板真空灭弧室单元磁场仿真分析 | 第33-34页 |
| 3.3.2 平行排列型布置方式磁场影响仿真分析 | 第34-36页 |
| 3.3.3 采取磁屏蔽措施后磁场影响仿真分析 | 第36-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 4 双断口真空断路器磁场调控系统设计 | 第38-50页 |
| 4.1 磁场调控线圈的原理分析与设计 | 第38-42页 |
| 4.1.1 磁场线圈的原理 | 第38-40页 |
| 4.1.2 磁场线圈的仿真分析 | 第40-41页 |
| 4.1.3 磁场线圈的基础性能测试 | 第41-42页 |
| 4.2 磁场线圈外电路的设计与测试 | 第42-47页 |
| 4.2.1 恒定磁场外电路的设计 | 第42-44页 |
| 4.2.2 脉冲磁场外电路的设计 | 第44-47页 |
| 4.3 两种磁场的标定试验 | 第47-48页 |
| 4.3.1 恒定磁场试验 | 第47-48页 |
| 4.3.2 脉冲磁场试验 | 第48页 |
| 4.4 磁场调控系统控制电路的设计 | 第48-49页 |
| 4.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 5 磁场调控试验平台的设计及试验结果分析 | 第50-60页 |
| 5.1 试验平台的设计 | 第50-52页 |
| 5.1.1 试验主回路分析 | 第50-51页 |
| 5.1.2 试品开关及试验平台搭建 | 第51-52页 |
| 5.2 断口真空断路器电弧磁场调控试验方法 | 第52-54页 |
| 5.2.1 不同类型磁场调控时刻 | 第52-53页 |
| 5.2.2 同种类型脉冲磁场不同调控方式组合 | 第53-54页 |
| 5.3 外加纵向磁场对双断口真空电弧调控试验结果 | 第54-58页 |
| 5.3.1 纵向恒定磁场对电弧伏安特性影响分析 | 第54-57页 |
| 5.3.2 纵向脉冲磁场对电弧伏安特性影响分析 | 第57-58页 |
| 5.4 磁场对双断口真空断路器弧后电压分布的影响 | 第58-59页 |
| 5.5 本章小结 | 第59-60页 |
| 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
