| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 1. 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 新型非易失性存储器 | 第10-12页 |
| 1.2.1 铁电随机存储器 | 第10-11页 |
| 1.2.2 磁阻随机存储器 | 第11页 |
| 1.2.3 相变随机存储器 | 第11页 |
| 1.2.4 阻变式随机存储器 | 第11-12页 |
| 1.3 阻变式随机存储器简介 | 第12-17页 |
| 1.3.1 RRAM的研究历史 | 第12-13页 |
| 1.3.2 RRAM的性能参数 | 第13-14页 |
| 1.3.3 RRAM的转变模式 | 第14页 |
| 1.3.4 RRAM的转变机制 | 第14-16页 |
| 1.3.5 RRAM的影响因素 | 第16-17页 |
| 1.3.6 RRAM面临的问题 | 第17页 |
| 1.4 本论文的研究思路 | 第17-20页 |
| 2. 薄膜的制备及分析表征 | 第20-28页 |
| 2.1 引言 | 第20页 |
| 2.2 磁控溅射法制备薄膜 | 第20-22页 |
| 2.3 薄膜的结构及性能表征 | 第22-28页 |
| 2.3.1 薄膜厚度测试 | 第22-23页 |
| 2.3.2 X射线衍射分析 | 第23-24页 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜 | 第24-25页 |
| 2.3.4 超导量子干涉仪 | 第25-26页 |
| 2.3.5 Keithley 2400 半导体分析仪 | 第26页 |
| 2.3.6 综合物性测试系统 | 第26-28页 |
| 3. ZnO-Co薄膜与ZnO薄膜阻变性能的比较 | 第28-46页 |
| 3.1 前言 | 第28页 |
| 3.2 实验过程 | 第28-29页 |
| 3.3 ZnO薄膜的阻变性能 | 第29-35页 |
| 3.3.1 功能层厚度对于ZnO薄膜阻变性能的影响 | 第29-33页 |
| 3.3.2 顶电极材料对于ZnO薄膜阻变性能的影响 | 第33-35页 |
| 3.4 ZnO-Co阻变性能及其与ZnO的差异 | 第35-44页 |
| 3.4.1 Pt/ZnO-Co/Pt薄膜的结构和阻变性能 | 第35-37页 |
| 3.4.2 顶电极对ZnO-Co薄膜阻变性能的影响 | 第37-39页 |
| 3.4.3 Pt/ZnO-Co/Pt薄膜的抗疲劳性 | 第39-40页 |
| 3.4.4 Pt/ZnO-Co/Pt薄膜的阻变机理 | 第40-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-46页 |
| 4. ZnO-TM(TM=Co,Cu)薄膜的阻变性能 | 第46-54页 |
| 4.1 引言 | 第46页 |
| 4.2 实验过程 | 第46-47页 |
| 4.3 ZnO-Co和ZnO-Cu薄膜的结构 | 第47-48页 |
| 4.4 ZnO-Co和ZnO-Cu薄膜的阻变性能 | 第48-49页 |
| 4.5 ZnO-Co和ZnO-Cu薄膜的阻变机理 | 第49-53页 |
| 4.6 本章小结 | 第53-54页 |
| 5. 结论 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-66页 |
| 附录 攻读硕士期间发表的论文 | 第66页 |
