| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 场致电子发射阴极研究的重要性 | 第12页 |
| 1.3 金刚石薄膜概述 | 第12-14页 |
| 1.3.1 金刚石的结构 | 第12-13页 |
| 1.3.2 金刚石的性质 | 第13-14页 |
| 1.3.3 金刚石薄膜作为场发射冷阴极材料 | 第14页 |
| 1.4 纳米碳薄膜概述 | 第14-15页 |
| 1.4.1 碳元素的同素异形体 | 第14-15页 |
| 1.4.2 纳米碳结构作为场发射材料 | 第15页 |
| 1.5 本文的主要研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 场致电子发射理论 | 第17-20页 |
| 2.1 引言 | 第17页 |
| 2.2 隧穿效应 | 第17页 |
| 2.3 场致电子发射的解释 | 第17-18页 |
| 2.4 场发射理论 | 第18-19页 |
| 2.5 场发射材料的选择标准 | 第19-20页 |
| 第三章 实验主要设备介绍 | 第20-34页 |
| 3.1 引言 | 第20页 |
| 3.2 衬底硅片实验前的预处理设备 | 第20-23页 |
| 3.2.1 超声仪系统的工作原理及其使用方法 | 第21-22页 |
| 3.2.2 DL-720D智能型超声波清洗器的工作原理 | 第22页 |
| 3.2.3 DL-720D型超声仪系统的使用方法 | 第22-23页 |
| 3.3 金刚石/纳米碳复式场发射阴极的制备设备 | 第23-28页 |
| 3.3.1 MMPS-203C型微波等离子体CVD系统 | 第23-25页 |
| 3.3.2 MPCVD系统制备金刚石/纳米碳薄膜的原理 | 第25-26页 |
| 3.3.3 MPCVD系统制备薄膜的实验步骤和注意事项 | 第26-28页 |
| 3.4 金刚石/纳米碳复式场发射阴极的特性表征设备 | 第28-34页 |
| 3.4.1 光学显微镜(OM) | 第28-29页 |
| 3.4.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第29页 |
| 3.4.3 X射线衍射(XRD) | 第29-30页 |
| 3.4.4 激光拉曼光谱 | 第30页 |
| 3.4.5 高真空场发射测试系统 | 第30-34页 |
| 第四章 金刚石薄膜和纳米碳薄膜的制备及工艺优化 | 第34-57页 |
| 4.1 引言 | 第34页 |
| 4.2 金刚石薄膜的制备及其结构特性研究 | 第34-43页 |
| 4.2.1 金刚石薄膜的制备 | 第34-36页 |
| 4.2.2 金刚石薄膜特性的测试与分析 | 第36-43页 |
| 4.2.2.1 金刚石薄膜衬底最佳处理时间的确定 | 第36-37页 |
| 4.2.2.2 金刚石薄膜制备参数对薄膜特性的影响 | 第37-43页 |
| 4.3 压强、CH_4/H_2、沉积时间对纳米碳膜的结构及场发射性能的影响 | 第43-51页 |
| 4.3.1 MPCVD各工艺参数的关系 | 第44页 |
| 4.3.2 实验方案 | 第44-47页 |
| 4.3.3 样品的场发射性能测试与分析 | 第47-51页 |
| 4.4 最佳实验条件下的碳膜结构及场发射特性 | 第51-55页 |
| 4.4.1 最佳场发射碳膜样品的FE-SEM检测分析 | 第52-53页 |
| 4.4.2 最佳场发射碳膜样品的拉曼光谱检测分析 | 第53-54页 |
| 4.4.3 最佳场发射碳膜样品的场发射特性 | 第54-55页 |
| 4.5 本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 金刚石/纳米碳复式场发射阴极的制备及场发射特性研究 | 第57-67页 |
| 5.1 引言 | 第57页 |
| 5.2 金刚石/纳米碳膜复式场发射阴极的制备过程 | 第57-58页 |
| 5.3 金刚石/纳米碳膜复式场发射阴极性能检测与分析 | 第58-66页 |
| 5.3.1 金刚石/纳米碳膜复式场发射阴极各膜层结构性能检测 | 第58-61页 |
| 5.3.2 金刚石/纳米碳膜复式场发射阴极与金刚石薄膜的场发射特性对比 | 第61-64页 |
| 5.3.3 金刚石/纳米碳膜复式场发射阴极与单层纳米碳膜的场发射特性对比 | 第64-66页 |
| 5.4 本章小节 | 第66-67页 |
| 第六章 结论 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 在读期间公开发表的论文和承担科研项目及取得成果 | 第73页 |
