| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 引言 | 第8-10页 |
| 1 表面等离激元学的发展与应用 | 第10-14页 |
| 1.1 表面等离激元学的产生与发展 | 第10-11页 |
| 1.2 研究热点 | 第11-13页 |
| 1.2.1 表面等离激元波导 | 第11-12页 |
| 1.2.2 超透射 | 第12-13页 |
| 1.3 表面等离激元的应用 | 第13-14页 |
| 2 表面等离激元的基本理论 | 第14-25页 |
| 2.1 表面等离激元的基本特性 | 第14-15页 |
| 2.2 表面等离激元的产生机理 | 第15-17页 |
| 2.3 表面等离激元的激发方式 | 第17-21页 |
| 2.3.1 棱镜耦合 | 第18-20页 |
| 2.3.2 光栅耦合 | 第20页 |
| 2.3.3 近场激发 | 第20-21页 |
| 2.3.4 波导耦合 | 第21页 |
| 2.4 球形粒子的等离激元共振 | 第21-25页 |
| 3 时域有限差分法 | 第25-33页 |
| 3.1 FDTD的发展与应用 | 第25-26页 |
| 3.2 FDTD法的基本原理 | 第26-27页 |
| 3.2.1 Yee氏算法与Yee元胞 | 第26-27页 |
| 3.2.2 Maxwell方程的差分形式 | 第27页 |
| 3.3 数值稳定性与数值色散 | 第27-30页 |
| 3.3.1 时间步的稳定性 | 第28-29页 |
| 3.3.2 空间步的稳定性 | 第29-30页 |
| 3.4 吸收边界条件 | 第30-33页 |
| 4 基于光栅的纳米银球对的等离子体激元特性 | 第33-46页 |
| 4.1 简介 | 第33页 |
| 4.2 模拟模型 | 第33-34页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第34-44页 |
| 4.3.1 光栅宽度对两纳米银球对中间中点位置处的电场强度影响 | 第36-38页 |
| 4.3.2 光栅间距对两纳米银球对中间中点位置处的电场强度影响 | 第38-39页 |
| 4.3.3 光栅高度对两纳米银球对中间中点位置处的电场强度影响 | 第39-41页 |
| 4.3.4 氧化硅膜厚度以及银膜厚度对两纳米银球对中间中点位置处的电场强度影响 | 第41-43页 |
| 4.3.5 光栅与两纳米银球的相对位置对两纳米银球对中间中点位置处的电场强度影响 | 第43-44页 |
| 4.4 结论 | 第44-46页 |
| 结论 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-53页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
