| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 存储器的种类及其发展 | 第10-12页 |
| 1.2.1 磁存储 | 第10页 |
| 1.2.2 光存储 | 第10-11页 |
| 1.2.3 半导体存储器 | 第11-12页 |
| 1.3 相变存储材料 | 第12-23页 |
| 1.3.1 相变存储材料发现及相变机理 | 第12-14页 |
| 1.3.2 相变存储材料GeSbTe的结构研究 | 第14-18页 |
| 1.3.3 GeSb_2Te_4结构与电学性能的研究现状及存在的问题 | 第18-23页 |
| 1.4 本课题的研究内容和意义 | 第23-24页 |
| 1.4.1 研究意义 | 第23页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第23-24页 |
| 第2章 实验原理及方法 | 第24-32页 |
| 2.1 透射电子显微镜的基本结构 | 第24-26页 |
| 2.1.1 透射电子显微镜的基本构造及成像原理 | 第24-25页 |
| 2.1.2 透射电子显微镜原位加热样品杆及其他加热设备 | 第25-26页 |
| 2.2 相变材料样品制备 | 第26-28页 |
| 2.2.1 磁控溅射原理 | 第26-27页 |
| 2.2.2 透射电镜样品制备 | 第27-28页 |
| 2.3 电学测试样品制备及霍尔效应测试仪 | 第28-31页 |
| 2.3.1 电学测试样品制备 | 第28页 |
| 2.3.2 霍尔效应测试仪 | 第28-30页 |
| 2.3.3 探针轮廓仪 | 第30-31页 |
| 2.4 电子衍射电子径向分布函数方法 | 第31-32页 |
| 第3章 时效温度与溅射功率对GeSb_2Te_4晶态结构的研究 | 第32-48页 |
| 3.1 时效温度对GeSb_2Te_4晶态结构的影响 | 第32-36页 |
| 3.1.1 引言 | 第32页 |
| 3.1.2 实验方法 | 第32-33页 |
| 3.1.3 实验结果与讨论 | 第33-36页 |
| 3.2 磁控溅射功率对GeSb_2Te_4薄膜晶态结构的研究 | 第36-45页 |
| 3.2.1 引言 | 第36-38页 |
| 3.2.2 实验方法 | 第38页 |
| 3.2.3 实验结果与讨论 | 第38-45页 |
| 3.3 本章小结 | 第45-48页 |
| 第4章 不同溅射功率时效中GeSb_2Te_4电学性能的研究 | 第48-60页 |
| 4.1 引言 | 第48页 |
| 4.2 实验方法 | 第48-49页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第49-58页 |
| 4.3.1 直流溅射的GeSb_2Te_4薄膜时效过程中成分与形貌的变化 | 第49-50页 |
| 4.3.2 直流溅射的GeSb_2Te_4薄膜时效过程中结构变化的研究 | 第50-52页 |
| 4.3.3 直流溅射的GeSb_2Te_4薄膜时效过程中电学性能的研究 | 第52-55页 |
| 4.3.4 直流溅射的GeSb_2Te_4薄膜时效过程中半导体类型的研究 | 第55-56页 |
| 4.3.5 射频溅射的GeSb_2Te_4薄膜时效过程中半导体类型的研究 | 第56-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-60页 |
| 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
