| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 石墨烯材料的概念和特征 | 第10-13页 |
| 1.1.1 概述 | 第10-11页 |
| 1.1.2 石墨烯特性 | 第11-13页 |
| 1.2 石墨烯应用和器件 | 第13-14页 |
| 1.3 石墨烯的研究进展 | 第14-15页 |
| 1.4 Comsol Multiphysics简介 | 第15页 |
| 1.5 光探测器的发展 | 第15-17页 |
| 1.5.1 金属接触型光电探测器 | 第16页 |
| 1.5.2 等离子体光电探测器 | 第16-17页 |
| 1.5.3 量子点石墨烯混合光电探测器 | 第17页 |
| 1.6 石墨烯太赫兹探测器 | 第17-18页 |
| 1.6.1 太赫兹探测器的原理及简介 | 第17-18页 |
| 1.6.2 石墨烯和太赫兹探测器 | 第18页 |
| 1.7 本文的主要内容及创新点 | 第18-19页 |
| 第二章 石墨烯生长工艺简介 | 第19-23页 |
| 2.1 引言 | 第19页 |
| 2.2 石墨烯主流生长工艺简介 | 第19-22页 |
| 2.2.1 微机械剥离法 | 第19-20页 |
| 2.2.2 外延生长法 | 第20页 |
| 2.2.3 氧化石墨还原法 | 第20-21页 |
| 2.2.4 化学气相淀积CVD法 | 第21-22页 |
| 2.3 本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 低温生长石墨烯工艺及其载流子迁移率测试 | 第23-54页 |
| 3.1 引言 | 第23页 |
| 3.2 主要实验器材及试剂介绍 | 第23-24页 |
| 3.3 石墨烯生长工艺描述 | 第24-28页 |
| 3.3.1 衬底的清洗 | 第24-25页 |
| 3.3.2 衬底上催化剂的蒸镀 | 第25-26页 |
| 3.3.3 微波等离子体化学气相沉积设备生长石墨烯的一般步骤 | 第26-28页 |
| 3.4 对比试验描述 | 第28页 |
| 3.4.1 铜箔上生长石墨烯的参数 | 第28页 |
| 3.4.2 Si/SiO_2衬底上镀Cu生长石墨烯 | 第28页 |
| 3.4.3 Si/SiO_2衬底上镀Ni生长石墨烯 | 第28页 |
| 3.4.4 Si/SiO_2衬底上镀Ni-Cu催化剂生长石墨烯 | 第28页 |
| 3.5 Raman表征简述 | 第28-30页 |
| 3.6 实验室制备的石墨烯质量分析 | 第30-47页 |
| 3.6.1 Cu作为催化剂的各组实验参数及对应的Raman测试结果 | 第31-36页 |
| 3.6.2 Ni作为催化剂的各组实验参数及对应的Raman测试结果 | 第36-42页 |
| 3.6.3 Ni-Cu作为催化剂的各组实验参数及对应的Raman测试结果 | 第42-47页 |
| 3.7 制取的石墨烯表面形貌观测 | 第47-48页 |
| 3.8 石墨烯载流子迁移率测试 | 第48-52页 |
| 3.8.1 载流子迁移率测试方法 | 第48-50页 |
| 3.8.2 霍尔效应测石墨烯迁移率基片制作 | 第50页 |
| 3.8.3 方阻的测量方法 | 第50-51页 |
| 3.8.4 迁移率的测试 | 第51-52页 |
| 3.9 本章小结 | 第52-54页 |
| 第四章 石墨烯光吸收仿真及相关器件改进方案 | 第54-66页 |
| 4.1 引言 | 第54页 |
| 4.2 Comsol Multiphysics软件一般求解过程 | 第54-55页 |
| 4.3 石墨烯的本征光吸收仿真 | 第55-59页 |
| 4.3.1 结构描述 | 第55-56页 |
| 4.3.2 软件仿真 | 第56-58页 |
| 4.3.3 结果分析 | 第58-59页 |
| 4.4 以石墨烯为主要介质的吸波体结构仿真 | 第59-63页 |
| 4.4.1 结构描述 | 第59页 |
| 4.4.2 软件仿真 | 第59-62页 |
| 4.4.3 结果分析 | 第62-63页 |
| 4.5 石墨烯光电探测器改进方案 | 第63-64页 |
| 4.6 太赫兹探测器改进方案 | 第64-65页 |
| 4.7 本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第66-68页 |
| 5.1 全文总结 | 第66-67页 |
| 5.2 展望 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第73-74页 |
