中文摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 引言 | 第11-25页 |
1.1 超导材料的介绍 | 第11-13页 |
1.2 NbN的晶体结构和基本特性 | 第13-16页 |
1.3 NbN薄膜的研究现状 | 第16-18页 |
1.4 NbN薄膜的制备方法 | 第18-23页 |
1.4.1 磁控溅射法(Magnetron Sputtering) | 第18-22页 |
1.4.2 脉冲激光沉积(PLD-Pulsed Laser Deposition) | 第22-23页 |
1.5 研究内容和意义 | 第23-25页 |
1.5.1 本文的总体思路和框架 | 第23页 |
1.5.2 本文主要研究内容和目标 | 第23-24页 |
1.5.3 本文的研究意义 | 第24-25页 |
第二章 薄膜的制备技术和表征方法 | 第25-36页 |
2.1 磁控溅射技术 | 第25-27页 |
2.2 聚合物辅助沉积法 | 第27-32页 |
2.2.1 聚合物辅助沉积方法简介 | 第27-30页 |
2.2.2 聚合物辅助沉积方法的设备 | 第30-32页 |
2.3 薄膜样品的表征方法 | 第32-36页 |
2.3.1 X射线衍射(XRD) | 第32-33页 |
2.3.2 原子力显微镜(AFM) | 第33-34页 |
2.3.3 场发射扫描电子显微镜(FESEM) | 第34-35页 |
2.3.4 综合物性测量系统(PPMS) | 第35-36页 |
第三章 NbN薄膜的制备及其性质分析 | 第36-53页 |
3.1 PAD法生长NbN薄膜 | 第36-40页 |
3.1.1 实验材料 | 第36页 |
3.1.2 前驱体配制 | 第36页 |
3.1.3 旋涂法镀膜 | 第36-37页 |
3.1.4 管式炉退火处理 | 第37页 |
3.1.5 NbN薄膜的性质分析 | 第37页 |
3.1.6 NbN粉体的制备 | 第37-38页 |
3.1.7 NbN薄膜的制备 | 第38-40页 |
3.2 PAD法生长其他薄膜的尝试 | 第40-44页 |
3.2.1 实验的材料 | 第40-41页 |
3.2.2 薄膜的制备 | 第41页 |
3.2.3 碳膜的性质分析 | 第41-44页 |
3.3 直流磁控溅射 | 第44-53页 |
3.3.1 实验的材料 | 第44页 |
3.3.2 实验的步骤 | 第44-46页 |
3.3.3 反应直流磁控溅射“过渡模式”研究 | 第46-48页 |
3.3.4 背底真空度对薄膜性能的影响 | 第48页 |
3.3.5 溅射功率对超导转变温度的影响 | 第48-49页 |
3.3.6 氮氩比对超导转变温度的影响 | 第49-50页 |
3.3.7 工作总压对超导转变温度的影响 | 第50-51页 |
3.3.8 超薄NbN薄膜的制备 | 第51-53页 |
第四章 迂回纳米线的刻蚀及卷管阵列的探索 | 第53-61页 |
4.1 超导迂回纳米线刻蚀 | 第53-58页 |
4.2 超导卷管阵列的探索 | 第58-61页 |
第五章 总结与展望 | 第61-64页 |
5.1 全文总结 | 第61-62页 |
5.2 展望 | 第62-64页 |
参考文献 | 第64-71页 |
攻读硕士学位期间的学术成果 | 第71-73页 |
致谢 | 第73-74页 |