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氮化铌薄膜及其纳米线超导性能研究

中文摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第一章 引言第11-25页
    1.1 超导材料的介绍第11-13页
    1.2 NbN的晶体结构和基本特性第13-16页
    1.3 NbN薄膜的研究现状第16-18页
    1.4 NbN薄膜的制备方法第18-23页
        1.4.1 磁控溅射法(Magnetron Sputtering)第18-22页
        1.4.2 脉冲激光沉积(PLD-Pulsed Laser Deposition)第22-23页
    1.5 研究内容和意义第23-25页
        1.5.1 本文的总体思路和框架第23页
        1.5.2 本文主要研究内容和目标第23-24页
        1.5.3 本文的研究意义第24-25页
第二章 薄膜的制备技术和表征方法第25-36页
    2.1 磁控溅射技术第25-27页
    2.2 聚合物辅助沉积法第27-32页
        2.2.1 聚合物辅助沉积方法简介第27-30页
        2.2.2 聚合物辅助沉积方法的设备第30-32页
    2.3 薄膜样品的表征方法第32-36页
        2.3.1 X射线衍射(XRD)第32-33页
        2.3.2 原子力显微镜(AFM)第33-34页
        2.3.3 场发射扫描电子显微镜(FESEM)第34-35页
        2.3.4 综合物性测量系统(PPMS)第35-36页
第三章 NbN薄膜的制备及其性质分析第36-53页
    3.1 PAD法生长NbN薄膜第36-40页
        3.1.1 实验材料第36页
        3.1.2 前驱体配制第36页
        3.1.3 旋涂法镀膜第36-37页
        3.1.4 管式炉退火处理第37页
        3.1.5 NbN薄膜的性质分析第37页
        3.1.6 NbN粉体的制备第37-38页
        3.1.7 NbN薄膜的制备第38-40页
    3.2 PAD法生长其他薄膜的尝试第40-44页
        3.2.1 实验的材料第40-41页
        3.2.2 薄膜的制备第41页
        3.2.3 碳膜的性质分析第41-44页
    3.3 直流磁控溅射第44-53页
        3.3.1 实验的材料第44页
        3.3.2 实验的步骤第44-46页
        3.3.3 反应直流磁控溅射“过渡模式”研究第46-48页
        3.3.4 背底真空度对薄膜性能的影响第48页
        3.3.5 溅射功率对超导转变温度的影响第48-49页
        3.3.6 氮氩比对超导转变温度的影响第49-50页
        3.3.7 工作总压对超导转变温度的影响第50-51页
        3.3.8 超薄NbN薄膜的制备第51-53页
第四章 迂回纳米线的刻蚀及卷管阵列的探索第53-61页
    4.1 超导迂回纳米线刻蚀第53-58页
    4.2 超导卷管阵列的探索第58-61页
第五章 总结与展望第61-64页
    5.1 全文总结第61-62页
    5.2 展望第62-64页
参考文献第64-71页
攻读硕士学位期间的学术成果第71-73页
致谢第73-74页

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