| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3-4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| 1.1 引言 | 第7-8页 |
| 1.2 薄膜材料简介 | 第8-9页 |
| 1.3 研究背景和研究现状 | 第9-15页 |
| 1.3.1 研究背景 | 第9-12页 |
| 1.3.2 研究现状 | 第12-15页 |
| 第二章 薄膜制备和实验设备、技术方法介绍 | 第15-38页 |
| 2.1 薄膜制备方法 | 第15-27页 |
| 2.1.1 真空蒸发镀膜 | 第15-21页 |
| 2.1.2 溅射法 | 第21-26页 |
| 2.1.3 离子镀 (Ion Plating) 镀膜 | 第26-27页 |
| 2.2 设备、技术方法和同步辐射介绍 | 第27-34页 |
| 2.2.1 脉冲激光沉积技术 | 第28-30页 |
| 2.2.2 同步辐射实验站的整体概况 | 第30-31页 |
| 2.2.3 光电子能谱（4B9B）站的介绍 | 第31页 |
| 2.2.4 同步光电子能谱原理 | 第31-34页 |
| 2.3 实验方案 | 第34-35页 |
| 2.4 实验测量到的谱图 | 第35-38页 |
| 第三章 不同势垒层Al_2O_3厚度对Er_2O_3//Si界面电子结构的研究 | 第38-45页 |
| 3.1 引言 | 第38页 |
| 3.2 实验部分 | 第38-39页 |
| 3.2.1 硅片的清洗 | 第38-39页 |
| 3.2.2 靶材、样品托和腔的处理 | 第39页 |
| 3.2.3 沉积和测量 | 第39页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第39-44页 |
| 3.3.1 薄膜厚度的表征 | 第39-41页 |
| 3.3.2 不同势垒层厚度对Er_2O_3/Al_2O_3/Si界面电子结构的影响 | 第41-44页 |
| 3.4 结论 | 第44-45页 |
| 第四章 不同退火温度对Er_2O_3/Al_2O_3/Si界面电子结构的影响 | 第45-50页 |
| 4.1 引言 | 第45-46页 |
| 4.2 实验部分 | 第46页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第46-49页 |
| 4.3.1 薄膜厚度的计算 | 第46页 |
| 4.3.2 Er_2O_3/Al_2O_3/Si界面结构的研究 | 第46-49页 |
| 4.4 结论 | 第49-50页 |
| 第五章 La_2O_3/LaAlO_3/Si界面电子结构的研究 | 第50-55页 |
| 5.1 引言 | 第50-51页 |
| 5.2 实验部分 | 第51页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第51-54页 |
| 5.3.1 Al与O的芯能级 | 第51-52页 |
| 5.3.2 La与Si的芯能级变化 | 第52-54页 |
| 5.4 结论 | 第54-55页 |
| 第六章 总结与展望 | 第55-56页 |
| 6.1 工作总结 | 第55页 |
| 6.2 存在的问题和展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-64页 |
| 硕士期间发表论文 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
