摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第一章 绪论 | 第7-16页 |
1.1 研究意义 | 第7-8页 |
1.2 Fe_3Si的基本性质 | 第8-10页 |
1.2.1 Fe-Si系统平衡相图 | 第8-9页 |
1.2.2 Fe_3Si的晶体结构 | 第9-10页 |
1.2.3 Fe_3Si基本的物理性质参数 | 第10页 |
1.3 Fe_3Si薄膜的研究现状 | 第10-14页 |
1.3.1 分子束外延法 | 第10-12页 |
1.3.2 脉冲激光沉积法 | 第12页 |
1.3.3 离子束合成法 | 第12-13页 |
1.3.4 射频溅射法 | 第13-14页 |
1.4 电阻式热蒸发 | 第14-15页 |
1.5 研究目标、内容与方案 | 第15页 |
1.5.1 研究目标 | 第15页 |
1.5.2 研究内容与方案 | 第15页 |
1.6 目前存在的问题 | 第15-16页 |
第二章 样品制备及表征 | 第16-28页 |
2.1 实验设备 | 第16-25页 |
2.1.1 电阻式热蒸发真空镀膜系统 | 第16-20页 |
2.1.2 高真空退火炉 | 第20-21页 |
2.1.3 X射线衍射仪(XRD) | 第21-23页 |
2.1.4 扫描电子显微镜(SEM) | 第23-24页 |
2.1.5 四探针 | 第24-25页 |
2.2 制备方案 | 第25页 |
2.3 样品制备 | 第25-27页 |
2.3.1 蒸发源和载体选择 | 第25-26页 |
2.3.2 衬底的清洗 | 第26页 |
2.3.3 镀料配比 | 第26页 |
2.3.4 电阻式热蒸发镀膜过程 | 第26-27页 |
2.3.5 高温真空退火过程 | 第27页 |
2.3.6 表征方法 | 第27页 |
2.4 本章小结 | 第27-28页 |
第三章 基于硅衬底的Fe_3Si薄膜的制备工艺研究 | 第28-38页 |
3.1 退火温度和铁硅原子配比对薄膜晶体结构的影响 | 第28-35页 |
3.2 退火温度对Fe-Si薄膜晶体结构的影响 | 第35-36页 |
3.3 薄膜表面形貌的分析 | 第36-37页 |
3.4 本章小结 | 第37-38页 |
第四章 基于石英衬底的Fe_3Si薄膜的制备工艺研究 | 第38-51页 |
4.1 退火温度和铁硅原子配比对薄膜晶体结构的影响 | 第38-46页 |
4.2 退火时间对Fe-Si薄膜晶体结构的影响 | 第46-47页 |
4.3 退火温度对Fe-Si薄膜形成的影响 | 第47-50页 |
4.3.1 退火温度对Fe-Si薄膜表面形貌的影响 | 第47-48页 |
4.3.2 退火温度对Fe_3Si薄膜的晶粒尺寸和晶格常数的影响 | 第48-49页 |
4.3.3 退火温度对Fe-Si薄膜电阻率和方块电阻的影响 | 第49-50页 |
4.4 本章小结 | 第50-51页 |
第五章 总结 | 第51-53页 |
致谢 | 第53-54页 |
参考文献 | 第54-58页 |
附录 | 第58-59页 |