| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 本课题研究背景与意义 | 第9-11页 |
| 1.2 IGBT器件发展概况 | 第11-13页 |
| 1.2.1 器件纵向结构 | 第11-12页 |
| 1.2.2 栅极结构 | 第12-13页 |
| 1.3 本论文的主要工作 | 第13-14页 |
| 第二章 IGBT基本理论 | 第14-30页 |
| 2.1 Trench-FS IGBT器件结构 | 第14-15页 |
| 2.2 Trench-FS IGBT静态特性 | 第15-23页 |
| 2.2.1 正向阻断特性 | 第16-17页 |
| 2.2.2 反向阻断特性 | 第17-18页 |
| 2.2.3 正向导通特性 | 第18-21页 |
| 2.2.4 饱和电流模型 | 第21-23页 |
| 2.3 IGBT开关特性 | 第23-24页 |
| 2.4 IGBT安全工作区 | 第24-29页 |
| 2.4.1 Trench-FS IGBT闩锁效应 | 第25-26页 |
| 2.4.2 正向安全工作区 | 第26页 |
| 2.4.3 反向安全工作区 | 第26-28页 |
| 2.4.4 短路安全工作区 | 第28-29页 |
| 2.5 本章总结 | 第29-30页 |
| 第三章 Trench-FS IGBT设计 | 第30-50页 |
| 3.1 工艺流程设计 | 第30-32页 |
| 3.2 Trench-FS IGBT元胞设计 | 第32-44页 |
| 3.2.1 外延层参数 | 第32-34页 |
| 3.2.2 Pbody区参数 | 第34-36页 |
| 3.2.3 背部P+和FS层参数 | 第36-38页 |
| 3.2.4 Trench栅参数 | 第38-42页 |
| 3.2.5 关断特性 | 第42-43页 |
| 3.2.6 传统Trench-FS IGBT元胞工艺参数 | 第43-44页 |
| 3.3 Dummy结构的Trench-FS IGBT | 第44-50页 |
| 3.3.1 Dummy部分的Pbody浮空 | 第44-45页 |
| 3.3.2 Dummy部分的栅极与发射极金属短接 | 第45-46页 |
| 3.3.3 Dummy部分的Pbody与发射极金属短接 | 第46-47页 |
| 3.3.4 Dummy部分的Pbody浮空且栅极与发射极金属短接 | 第47页 |
| 3.3.5 参数对比 | 第47-50页 |
| 第四章 终端和版图设计 | 第50-58页 |
| 4.1 终端设计 | 第50-54页 |
| 4.2 版图设计 | 第54-57页 |
| 4.3 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 IGBT应用 | 第58-62页 |
| 5.1 逆变模块 | 第58-59页 |
| 5.2 充电模块 | 第59-61页 |
| 5.3 本章小结 | 第61-62页 |
| 第六章 结论 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第66页 |
