| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 课题背景及研究意义 | 第10-12页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3 论文的主要工作安排 | 第14-17页 |
| 第二章 微带天线设计及多物理场耦合理论 | 第17-27页 |
| 2.1 微带天线的组成及其辐射工作原理 | 第17-18页 |
| 2.2 微带天线的主要设计参数 | 第18-21页 |
| 2.3 微带天线小型化技术 | 第21-23页 |
| 2.4 多物理场耦合概念 | 第23-24页 |
| 2.5 多物理场耦合求解方法 | 第24-26页 |
| 2.6 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 基于SysML的微带天线电性能设计 | 第27-43页 |
| 3.1 基于模型的系统工程及SysML建模语言的应用 | 第27-31页 |
| 3.1.1 基于模型的系统工程 | 第27-28页 |
| 3.1.2 SysML建模语言及其应用 | 第28-31页 |
| 3.2 天线基底的确定 | 第31-35页 |
| 3.2.1 介质基底材料的选择 | 第32-33页 |
| 3.2.2 基底厚度对频带的影响 | 第33-34页 |
| 3.2.3 基底厚度对效率的影响 | 第34-35页 |
| 3.3 天线辐射贴片及馈电点尺寸的计算 | 第35-39页 |
| 3.3.1 辐射单元尺寸的确定 | 第35-37页 |
| 3.3.2 简并分离单元大小的确定 | 第37-38页 |
| 3.3.3 馈电点阻抗匹配调节 | 第38-39页 |
| 3.4 硅基底微带天线的仿真分析及结果 | 第39-42页 |
| 3.4.1 中心频率、驻波比及带宽 | 第39-40页 |
| 3.4.2 天线的极化特性 | 第40-41页 |
| 3.4.3 天线的方向图 | 第41-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 基于SysML的微带天线电磁-热-结构耦合建模及分析 | 第43-59页 |
| 4.1 封装结构对高阻硅基底微带天线电性能的影响 | 第43-45页 |
| 4.2 微带天线电-热-结构耦合分析SysML模型构建 | 第45-47页 |
| 4.2.1 需求图 | 第45-46页 |
| 4.2.2 状态机图 | 第46页 |
| 4.2.3 参数图 | 第46-47页 |
| 4.3 微带天线电磁-热-结构耦合分析求解过程 | 第47-55页 |
| 4.3.1 天线的辐射效率 | 第48-49页 |
| 4.3.2 天线的功率容量分析 | 第49-50页 |
| 4.3.3 天线的三场耦合分析过程 | 第50-52页 |
| 4.3.4 电磁-热-结构耦合对天线电性能的影响 | 第52-55页 |
| 4.4 多场耦合对天线电性能影响的试验设计及析因分析 | 第55-58页 |
| 4.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 基于SysML的弹载微带天线多学科协同优化设计 | 第59-91页 |
| 5.1 展宽微带天线带宽的方法 | 第59-60页 |
| 5.2 硅基底空气隙结构优化模型 | 第60-74页 |
| 5.2.1 MEMS深槽刻蚀技术 | 第60-61页 |
| 5.2.2 带空气隙基底的微带天线电性能理论分析 | 第61-62页 |
| 5.2.3 硅基底空气隙边缘尺寸参数分析 | 第62-65页 |
| 5.2.4 硅基底空气隙刻蚀深度误差参数分析 | 第65-68页 |
| 5.2.5 结构优化后的微带天线多场耦合分析结果 | 第68-74页 |
| 5.3 冲击与振动仿真分析 | 第74-81页 |
| 5.3.1 高G冲击仿真分析 | 第75-78页 |
| 5.3.2 随机振动仿真分析 | 第78-81页 |
| 5.4 微带天线多学科综合优化分析 | 第81-89页 |
| 5.4.1 优化数学模型 | 第82-83页 |
| 5.4.2 优化SysML模型 | 第83页 |
| 5.4.3 天线优化仿真结果分析 | 第83-89页 |
| 5.5 本章小结 | 第89-91页 |
| 第六章 总结与展望 | 第91-93页 |
| 致谢 | 第93-94页 |
| 参考文献 | 第94-99页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第99页 |
