| 中文摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第10-25页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 纳米材料和半导体简介 | 第10-13页 |
| 1.3 纳米半导体材料的特殊性质 | 第13-15页 |
| 1.3.1 纳米半导体材料简介 | 第13页 |
| 1.3.2 光学性质 | 第13-14页 |
| 1.3.3 光催化性质 | 第14页 |
| 1.3.4 电学性质 | 第14页 |
| 1.3.5 光电转化特性 | 第14-15页 |
| 1.4 CdS/TiO_2纳米复合材料 | 第15-18页 |
| 1.4.1 CdS/TiO_2纳米颗粒复合物 | 第15-16页 |
| 1.4.2 CdS/TiO_2纳米线复合物 | 第16页 |
| 1.4.3 CdS/TiO_2纳米管复合物 | 第16-17页 |
| 1.4.4 CdS/TiO_2同轴纳米线 | 第17-18页 |
| 1.5 Cu2O/CdS纳米复合材料 | 第18-20页 |
| 1.5.1 Cu2O/CdS复合薄膜的制备 | 第19页 |
| 1.5.2 Cu2O/CdS纳米复合球的制备 | 第19-20页 |
| 1.6 光催化技术 | 第20-24页 |
| 1.6.1 光催化技术的机理 | 第20-21页 |
| 1.6.2 光催化技术的应用 | 第21-24页 |
| 1.7 本课题的研究内容 | 第24-25页 |
| 第二章 实验方法 | 第25-38页 |
| 2.1 CdS/TiO_2复合纳米粒子的制备 | 第25-26页 |
| 2.1.1 实验试剂 | 第25页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第25-26页 |
| 2.1.3 CdS/TiO_2复合纳米粒子的制备 | 第26页 |
| 2.2 AAO工作电极的制备 | 第26-28页 |
| 2.2.1 实验试剂 | 第26-27页 |
| 2.2.2 实验仪器 | 第27页 |
| 2.2.3 工艺流程 | 第27-28页 |
| 2.3 CdS/TiO_2同轴纳米线阵列和CdS/ Cu_2O p-n结纳米线阵列的制备 | 第28-32页 |
| 2.3.1 实验试剂 | 第28-29页 |
| 2.3.2 实验仪器 | 第29-30页 |
| 2.3.3 实验装置图 | 第30页 |
| 2.3.4 CdS/TiO_2同轴纳米线阵列的制备 | 第30-31页 |
| 2.3.5 Cu2O/CdS p-n结纳米线阵列的制备 | 第31-32页 |
| 2.4 材料表征 | 第32-33页 |
| 2.4.1 X射线衍射（XRD） | 第32页 |
| 2.4.2 扫描电子显微镜分析（SEM） | 第32页 |
| 2.4.3 透射电子显微镜分析（TEM） | 第32页 |
| 2.4.4 X射线光电子能谱分析（XPS） | 第32-33页 |
| 2.4.5 紫外-可见吸收光谱分析（UV-vis） | 第33页 |
| 2.5 光电响应性能测试 | 第33-34页 |
| 2.6 Motto-Schokkty测试 | 第34页 |
| 2.7 光电催化降解罗丹明B溶液的性能测试 | 第34-36页 |
| 2.7.1 标准曲线的绘制 | 第34-35页 |
| 2.7.2 降解率的测定 | 第35-36页 |
| 2.8 光催化剂制氢活性评价 | 第36-38页 |
| 第三章 CdS/TiO_2复合纳米粒子的制备及其性能研究 | 第38-53页 |
| 3.1 引言 | 第38页 |
| 3.2 CdS/TiO_2复合纳米粒子的表征 | 第38-45页 |
| 3.2.1 XRD分析 | 第38-39页 |
| 3.2.2 SEM表征 | 第39-40页 |
| 3.2.3 EDS分析 | 第40-42页 |
| 3.2.4 TEM表征 | 第42-43页 |
| 3.2.5 XPS表征 | 第43-45页 |
| 3.3 CdS/TiO_2复合纳米粒子的性能研究 | 第45-51页 |
| 3.3.1 紫外光下光催化降解罗丹明B活性研究 | 第45-49页 |
| 3.3.2 紫外可见吸收光谱 | 第49-50页 |
| 3.3.3 模拟可见光下光催化水产氢活性研究 | 第50-51页 |
| 3.4 小结 | 第51-53页 |
| 第四章 CdS/TiO_2同轴纳米线阵列的制备及其性能研究 | 第53-71页 |
| 4.1 引言 | 第53页 |
| 4.2 正交实验设计及结果讨论 | 第53-55页 |
| 4.2.1 正交实验设计 | 第54-55页 |
| 4.2.2 正交实验结果分析 | 第55页 |
| 4.3 CdS/TiO_2同轴纳米线的表征 | 第55-63页 |
| 4.3.1 SEM分析 | 第56-57页 |
| 4.3.2 SEM能谱分析 | 第57-59页 |
| 4.3.3 XRD分析 | 第59-60页 |
| 4.3.4 TEM分析 | 第60-63页 |
| 4.4 CdS/TiO_2同轴纳米线的性能测试 | 第63-69页 |
| 4.4.1 紫外可见吸收光谱 | 第63页 |
| 4.4.2 紫外光下光电催化降解罗丹明B活性研究 | 第63-66页 |
| 4.4.3 光照开路电位 | 第66-68页 |
| 4.4.4 Motto-Schokkty测试 | 第68-69页 |
| 4.5 小结 | 第69-71页 |
| 第五章 Cu_2O/CdS p-n结纳米线阵列的制备及其性能研究 | 第71-85页 |
| 5.1 引言 | 第71页 |
| 5.2 正交实验设计及结果讨论 | 第71-73页 |
| 5.2.1 正交实验设计 | 第71-72页 |
| 5.2.2 正交实验结果分析 | 第72-73页 |
| 5.3 Cu_2O/CdS p-n结纳米线的表征 | 第73-76页 |
| 5.3.1 SEM分析 | 第73-74页 |
| 5.3.2 XRD分析 | 第74-75页 |
| 5.3.3 TEM分析及其能谱 | 第75-76页 |
| 5.4 Cu_2O/CdS p-n结纳米线的性能测试 | 第76-83页 |
| 5.4.1 紫外光下光电催化降解罗丹明B活性研究 | 第76-80页 |
| 5.4.2 紫外可见吸收光谱 | 第80-82页 |
| 5.4.3 光照开路电位 | 第82-83页 |
| 5.4.4 Motto-Schokkty测试 | 第83页 |
| 5.5 小结 | 第83-85页 |
| 第六章 结论 | 第85-87页 |
| 参考文献 | 第87-93页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第93-94页 |
| 致谢 | 第94页 |
