| 致谢 | 第6-7页 |
| 中文摘要 | 第7-8页 |
| 英文摘要 | 第8页 |
| 第1章 绪论 | 第9-16页 |
| 1．1 半导体激光器概述 | 第9-11页 |
| 1．1．1 半导体激光器发展回顾 | 第9-10页 |
| 1．1．2 半导体激光器的分类与应用 | 第10-11页 |
| 1．2 双波长半导体激光器的用途与国内外发展状况 | 第11-13页 |
| 1．2．1 双波长半导体激光器的应用及前景展望 | 第11-12页 |
| 1．2．2 双波长半导体激光器的国内外发展状况 | 第12-13页 |
| 1．3 双波长激光器的主要技术问题及本论文的主要工作 | 第13-15页 |
| 1．3．1 双波长激光器的主要技术问题 | 第13-14页 |
| 1．3．2 本论文的主要工作 | 第14-15页 |
| 本章小结 | 第15页 |
| 参考文献 | 第15-16页 |
| 第2章 双波长量子阱激光器的工作原理及器件结构设计要点 | 第16-26页 |
| 2．1 工作原理与隧道结 | 第16-17页 |
| 2．2 光增益对复折射率波导的影响 | 第17-20页 |
| 2．2．1 波导结构概述 | 第18页 |
| 2．2．2 复数波导中光增益的影响 | 第18-20页 |
| 2．3 脊形波导结构侧向电流扩展与有源区载流子扩散 | 第20-22页 |
| 2．4 双波长量子阱激光器结构设计要点 | 第22-24页 |
| 2．4．1 器件横向光波导结构 | 第22-23页 |
| 2．4．2 器件的侧向光波导设计 | 第23页 |
| 2．4．3 工作方式与器件结构 | 第23-24页 |
| 本章小结 | 第24-25页 |
| 参考文献 | 第25-26页 |
| 第3章 大功率隧道级联950nm／990nm双波长应变量子阱激光器的模拟计算与特性分析 | 第26-38页 |
| 3．1 引言 | 第26页 |
| 3．2 双波长激光器DWLD1与DWLD2的器件特性分析 | 第26-32页 |
| 3．2．1 器件生长结构 | 第26-28页 |
| 3．2．2 光波导模拟 | 第28-29页 |
| 3．2．3 自对准工艺过程 | 第29页 |
| 3．2．4 器件特性分析 | 第29-32页 |
| 3．3 改进的双波长激光器DWLD3的器件特性分析 | 第32-36页 |
| 3．3．1 器件生长结构 | 第32-33页 |
| 3．3．2 光波导模拟 | 第33-34页 |
| 3．3．3 器件特性的测试结果与讨论 | 第34-36页 |
| 本章小结 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-38页 |
| 第4章 常规AlGalnP／GaAs应变多量子阱激光器的器件模拟与特性分析 | 第38-53页 |
| 4．1 引言 | 第38-39页 |
| 4．2 器件结构与工艺过程 | 第39-40页 |
| 4．2．1 器件生长结构 | 第39页 |
| 4．2．2 工艺过程 | 第39-40页 |
| 4．3 激光器阈值特性的计算分析与光波导模拟 | 第40-48页 |
| 4．3．1 AlGaInP材料光增益与阈值电流密度的计算 | 第40-44页 |
| 4．3．2 器件光波导模拟 | 第44-47页 |
| 4．3．3 脊形波导阈值电流计算与其它特性的分析 | 第47-48页 |
| 4．4 器件特性的测试分析 | 第48-51页 |
| 4．4．1 器件光电特性测试分析 | 第48-49页 |
| 4．4．2 温度特性的测试分析 | 第49-50页 |
| 4．4．3 不同腔长器件的比较与分析 | 第50-51页 |
| 本章小结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-53页 |
| 第5章 650nm／780nm双波长多量子阱激光器的设计与模拟分析 | 第53-63页 |
| 5．1 引言 | 第53页 |
| 5．2 器件设计与模拟 | 第53-59页 |
| 5．2．1 650nm激光器部分设计与模拟计算 | 第53-55页 |
| 5．2．2 780nm激光器部分设计与模拟计算 | 第55-57页 |
| 5．2．3 整体设计 | 第57-59页 |
| 5．3 后部工艺实现与特性优化 | 第59-60页 |
| 5．3．1 后部工艺实现 | 第59页 |
| 5．3．2 特性优化 | 第59-60页 |
| 5．4 脊形波导器件设计 | 第60-62页 |
| 本章小结 | 第62页 |
| 参考文献 | 第62-63页 |
| 结论 | 第63页 |
| 攻读硕士学位期间发表的与本学位论文研究内容相关的学术论文 | 第63页 |
