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精神分裂症多种事件相关电位的研究

中文摘要第1-4页
abstract第4-5页
目录第5-7页
前言第7-12页
 一、精神分裂症概述第7-8页
 二、事件相关电位对精神分裂症前驱期和高危人群研究的特殊意义和近况第8-12页
研究对象和方法第12-15页
 1. 研究对象第12页
   ·精神分裂症组第12页
   ·正常对照组第12页
 2. 方法第12-15页
   ·仪器第12-15页
     ·事件相关电位P300第13页
     ·感觉门控电位P50第13-14页
     ·检查指标第14-15页
   ·统计方法第15页
研究结果第15-18页
讨论第18-29页
 1. 事件相关电位P300各成分与精神分裂症的相关性第18-26页
   ·N1潜伏期和N1波幅第19-20页
   ·P2潜伏期和波幅第20-21页
   ·N2潜伏期和N2波幅第21-23页
   ·P3a、P3b潜伏期和波幅第23-26页
 2. 感觉门控电位P50与精神分裂症的相关性第26-29页
结论第29-30页
参考文献第30-38页
致谢第38-39页
综述:事件相关电位P300在精神分裂症中的应用和研究第39-51页
 一. 事件相关电位P300与精神分裂症病因病机的研究第39-43页
  1. 大脑形态和功能与p300的结合研究第39-40页
  2. 神经递质和p300的关系第40-42页
   ·多巴胺和p300的关系第40-41页
   ·5-羟色胺与p300的关系第41页
   ·氨基酸类递质和P300的关系第41-42页
  3. 精神分裂症的易感基因与p300的关系第42-43页
 二、事件相关电位P300与精神分裂症临床症状、分型及药物治疗的研究第43-46页
  1. 精神分裂症临床症状、分型与P300的关系第43-44页
  2. 抗精神病药物应用与P300的关系第44-46页
 参考文献第46-51页
附件1:在读期间公开发表的学术论文、专著及科研成果第51-52页

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