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PbTe/CdTe材料的外延生长及物理特性的研究

致谢第5-7页
摘要第7-10页
Abstract第10-12页
第一章 绪论第17-45页
    1.1 引言第17-18页
    1.2 PbTe的基本物理性质第18-36页
        1.2.1 PbTe的晶体结构及成键方式第18-20页
        1.2.2 PbTe的能带结构第20-21页
        1.2.3 PbTe的禁带宽度Eg及其随温度变化的关系第21-22页
        1.2.4 PbTe的带边有效质量m*第22-25页
        1.2.5 PbTe的光学性质第25-31页
        1.2.6 PbTe的热电性质第31-36页
    1.3 CdTe的基本物理性质第36-39页
        1.3.1 CdTe的晶体结构和成键方式第36-37页
        1.3.2 CdTe的能带结构第37页
        1.3.3 CdTe的禁带宽度Eg及其随温度的变化第37页
        1.3.4 CdTe的带边有效质量m~*第37-38页
        1.3.5 CdTe半导体材料的应用第38-39页
    1.4 CdTe/PbTe材料及其异质结构体系的研究第39-43页
    1.5 本论文的研究工作第43-45页
第二章 实验设备及表征技术原理介绍第45-72页
    2.1 分子束外延(MBE)第45-49页
    2.2 拉曼散射光谱简介第49-50页
    2.3 调制反射光谱(PR)第50-58页
        2.3.1 传统PR技术第50-52页
        2.3.2 基于步进扫描FTIR谱仪的PR技术第52-57页
        2.3.3 PR光谱曲线拟合分析第57-58页
    2.4 磁输运性质的测量原理第58-66页
        2.4.1 电阻率和霍尔系数测量方法第58-60页
        2.4.2 半导体材料的迁移率测量第60-61页
        2.4.3 多次测量消除实验误差第61-64页
        2.4.4 范德堡法测试中常见的样品形状及优劣第64-65页
        2.4.5 电极线度和位置对测量结果的影响第65-66页
    2.5 2DEG的Shubnikov de Hass(SdH)振荡和量子霍尔效应(QHE)第66-72页
        2.5.1 SdH振荡第66-70页
        2.5.2 2DEG的量子霍尔效应(QHE)第70-72页
第三章 CdTe和PbTe材料的外延生长及薄膜物理性质第72-85页
    3.1 引言第72页
    3.2 PbTe外延薄膜表面的规则缺陷第72-77页
        3.2.1 实验第73页
        3.2.2 结果与讨论第73-77页
        3.2.3 结论第77页
    3.3 分子束外延生长[111]晶向CdTe的研究第77-85页
        3.3.1 实验第78-79页
        3.3.2 结果与讨论第79-83页
        3.3.3 结论第83-85页
第四章 IR-PR技术研究PbTe的本征缺陷第85-94页
    4.1 引言第85-86页
    4.2 实验第86-88页
    4.3 结果与讨论第88-92页
    4.4 结论第92-94页
第五章 CdTe/PbTe(111)极性异质界面处二维电子气的声子屏蔽效应第94-103页
    5.1 引言第94-95页
    5.2 实验第95-96页
    5.3 结果与讨论第96-102页
    5.4 结论第102-103页
第六章 CdTe/PbTe(111)界面2DEG的量子振荡第103-115页
    6.1 引言第103-105页
    6.2 实验第105-106页
    6.3 结果与讨论第106-114页
    6.4 结论第114-115页
第七章 总结与展望第115-118页
    7.1 论文工作总结第115-117页
    7.2 今后工作展望第117-118页
参考文献第118-131页
博士期间的研究成果第131-132页

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