| 致谢 | 第5-7页 |
| 摘要 | 第7-10页 |
| Abstract | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第17-45页 |
| 1.1 引言 | 第17-18页 |
| 1.2 PbTe的基本物理性质 | 第18-36页 |
| 1.2.1 PbTe的晶体结构及成键方式 | 第18-20页 |
| 1.2.2 PbTe的能带结构 | 第20-21页 |
| 1.2.3 PbTe的禁带宽度Eg及其随温度变化的关系 | 第21-22页 |
| 1.2.4 PbTe的带边有效质量m* | 第22-25页 |
| 1.2.5 PbTe的光学性质 | 第25-31页 |
| 1.2.6 PbTe的热电性质 | 第31-36页 |
| 1.3 CdTe的基本物理性质 | 第36-39页 |
| 1.3.1 CdTe的晶体结构和成键方式 | 第36-37页 |
| 1.3.2 CdTe的能带结构 | 第37页 |
| 1.3.3 CdTe的禁带宽度Eg及其随温度的变化 | 第37页 |
| 1.3.4 CdTe的带边有效质量m~* | 第37-38页 |
| 1.3.5 CdTe半导体材料的应用 | 第38-39页 |
| 1.4 CdTe/PbTe材料及其异质结构体系的研究 | 第39-43页 |
| 1.5 本论文的研究工作 | 第43-45页 |
| 第二章 实验设备及表征技术原理介绍 | 第45-72页 |
| 2.1 分子束外延(MBE) | 第45-49页 |
| 2.2 拉曼散射光谱简介 | 第49-50页 |
| 2.3 调制反射光谱(PR) | 第50-58页 |
| 2.3.1 传统PR技术 | 第50-52页 |
| 2.3.2 基于步进扫描FTIR谱仪的PR技术 | 第52-57页 |
| 2.3.3 PR光谱曲线拟合分析 | 第57-58页 |
| 2.4 磁输运性质的测量原理 | 第58-66页 |
| 2.4.1 电阻率和霍尔系数测量方法 | 第58-60页 |
| 2.4.2 半导体材料的迁移率测量 | 第60-61页 |
| 2.4.3 多次测量消除实验误差 | 第61-64页 |
| 2.4.4 范德堡法测试中常见的样品形状及优劣 | 第64-65页 |
| 2.4.5 电极线度和位置对测量结果的影响 | 第65-66页 |
| 2.5 2DEG的Shubnikov de Hass(SdH)振荡和量子霍尔效应(QHE) | 第66-72页 |
| 2.5.1 SdH振荡 | 第66-70页 |
| 2.5.2 2DEG的量子霍尔效应(QHE) | 第70-72页 |
| 第三章 CdTe和PbTe材料的外延生长及薄膜物理性质 | 第72-85页 |
| 3.1 引言 | 第72页 |
| 3.2 PbTe外延薄膜表面的规则缺陷 | 第72-77页 |
| 3.2.1 实验 | 第73页 |
| 3.2.2 结果与讨论 | 第73-77页 |
| 3.2.3 结论 | 第77页 |
| 3.3 分子束外延生长[111]晶向CdTe的研究 | 第77-85页 |
| 3.3.1 实验 | 第78-79页 |
| 3.3.2 结果与讨论 | 第79-83页 |
| 3.3.3 结论 | 第83-85页 |
| 第四章 IR-PR技术研究PbTe的本征缺陷 | 第85-94页 |
| 4.1 引言 | 第85-86页 |
| 4.2 实验 | 第86-88页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第88-92页 |
| 4.4 结论 | 第92-94页 |
| 第五章 CdTe/PbTe(111)极性异质界面处二维电子气的声子屏蔽效应 | 第94-103页 |
| 5.1 引言 | 第94-95页 |
| 5.2 实验 | 第95-96页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第96-102页 |
| 5.4 结论 | 第102-103页 |
| 第六章 CdTe/PbTe(111)界面2DEG的量子振荡 | 第103-115页 |
| 6.1 引言 | 第103-105页 |
| 6.2 实验 | 第105-106页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第106-114页 |
| 6.4 结论 | 第114-115页 |
| 第七章 总结与展望 | 第115-118页 |
| 7.1 论文工作总结 | 第115-117页 |
| 7.2 今后工作展望 | 第117-118页 |
| 参考文献 | 第118-131页 |
| 博士期间的研究成果 | 第131-132页 |
