| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-21页 |
| 1.1 前言 | 第12页 |
| 1.2 汽车车身用Al-Mg-Si合金板材的研究背景及现状 | 第12-14页 |
| 1.3 Al-Mg-Si合金性能影响因素 | 第14-15页 |
| 1.3.1 合金元素的作用 | 第14页 |
| 1.3.2 热处理工艺对性能的影响 | 第14-15页 |
| 1.4 Mg_2Si相在Al-Mg-Si合金中的析出过程研究 | 第15-17页 |
| 1.5 Al-Mg-Si合金成形性研究 | 第17-20页 |
| 1.5.1 n值的研究 | 第17-19页 |
| 1.5.2 r值的研究 | 第19-20页 |
| 1.6 本文的研究目的及内容 | 第20-21页 |
| 第2章 实验材料及研究方法 | 第21-25页 |
| 2.1 实验材料 | 第21页 |
| 2.2 合金板材的热处理 | 第21-22页 |
| 2.3 实验研究方法 | 第22-25页 |
| 2.3.1 金相组织观察 | 第22页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜(SEM)观察和能谱(EDX)分析 | 第22页 |
| 2.3.3 透射电子显微镜(TEM)观察分析 | 第22-23页 |
| 2.3.4 力学性能测试 | 第23页 |
| 2.3.5 n值、r值的测定计算 | 第23-25页 |
| 第3章 固溶时效处理对Mg_2Si粒子组态调控及其对合金板材n、r值的影响 | 第25-86页 |
| 3.1 冷轧态板材的显微组织分析 | 第25-41页 |
| 3.1.1 金相组织观察 | 第25-27页 |
| 3.1.2 晶粒形状尺寸观察 | 第27-29页 |
| 3.1.3 SEM组织分析及EDX分析 | 第29-41页 |
| 3.2 自然时效处理对Mg_2Si粒子组态及合金板材n、r值的影响 | 第41-73页 |
| 3.2.1 金相组织观察 | 第41-43页 |
| 3.2.2 晶粒形状尺寸观察 | 第43-45页 |
| 3.2.3 SEM组织分析及EDX分析 | 第45-46页 |
| 3.2.4 透射电镜分析 | 第46-54页 |
| 3.2.5 应力应变曲线规律 | 第54-57页 |
| 3.2.6 成形性能研究 | 第57-61页 |
| 3.2.7 n值随应变及Mg_2Si含量变化的规律 | 第61-69页 |
| 3.2.8 r值随应变及Mg_2Si含量变化的规律 | 第69-73页 |
| 3.3 峰时效处理对Mg_2Si粒子组态及合金板材n、r值的影响 | 第73-84页 |
| 3.3.1 金相组织观察 | 第73-75页 |
| 3.3.2 晶粒形状尺寸观察 | 第75-76页 |
| 3.3.3 透射电镜分析 | 第76-79页 |
| 3.3.4 力学性能分析 | 第79-81页 |
| 3.3.5 n值随应变及Mg_2Si含量变化的规律 | 第81-83页 |
| 3.3.6 r值随应变及Mg_2Si含量变化的规律 | 第83-84页 |
| 3.4 本章小结 | 第84-86页 |
| 第4章 退火处理对Mg_2Si粒子组态的调控及其对合金板材n、r值的影响 | 第86-172页 |
| 4.1 相同退火温度条件下Mg_2Si含量对显微组织及n、r值的影响 | 第86-128页 |
| 4.1.1 200℃退火条件下Mg_2Si含量对显微组织及n、r值的影响 | 第86-92页 |
| 4.1.2 250℃退火条件下Mg_2Si含量对显微组织及n、r值的影响 | 第92-98页 |
| 4.1.3 300℃退火条件下Mg_2Si含量对显微组织及n、r值的影响 | 第98-104页 |
| 4.1.4 350℃退火条件下Mg_2Si含量对显微组织及n、r值的影响 | 第104-110页 |
| 4.1.5 400℃退火条件下Mg_2Si含量对显微组织及n、r值的影响 | 第110-116页 |
| 4.1.6 450℃退火条件下Mg_2Si含量对显微组织及n、r值的影响 | 第116-122页 |
| 4.1.7 500℃退火条件下Mg_2Si含量对显微组织及n、r值的影响 | 第122-128页 |
| 4.2 相同Mg2Si含量条件下退火温度对显微组织及n、r值的影响 | 第128-170页 |
| 4.2.1 Mg_2Si含量为0.36%时退火温度对显微组织及n、r值的影响 | 第128-134页 |
| 4.2.2 Mg_2Si含量为0.79%时退火温度对显微组织及n、r值的影响 | 第134-140页 |
| 4.2.3 Mg_2Si含量为1.27%时退火温度对显微组织及n、r值的影响 | 第140-146页 |
| 4.2.4 Mg_2Si含量为1.52%时退火温度对显微组织及n、r值的影响 | 第146-152页 |
| 4.2.5 Mg_2Si含量为2.23%时退火温度对显微组织及n、r值的影响 | 第152-158页 |
| 4.2.6 Mg_2Si含量为3.06%时退火温度对显微组织及n、r值的影响 | 第158-164页 |
| 4.2.7 Mg_2Si含量为4.04%时退火温度对显微组织及n、r值的影响 | 第164-170页 |
| 4.3 本章小结 | 第170-172页 |
| 第5章 结论 | 第172-174页 |
| 参考文献 | 第174-179页 |
| 致谢 | 第179页 |
