| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第9-10页 |
| 1.2 物理气相沉积技术的发展及应用 | 第10-14页 |
| 1.2.1 真空蒸镀 | 第10-11页 |
| 1.2.2 溅射镀膜 | 第11-13页 |
| 1.2.3 离子镀及离子束沉积 | 第13-14页 |
| 1.3 普通直流二极溅射及磁控溅射技术的特点 | 第14-17页 |
| 1.3.1 普通直流二极溅射技术 | 第14-15页 |
| 1.3.2 磁控溅射技术 | 第15-17页 |
| 1.4 脉冲溅射技术研究现状 | 第17-18页 |
| 1.5 仿形技术在表面工程领域的运用 | 第18-19页 |
| 1.6 本论文研究的主要内容 | 第19-20页 |
| 第2章 试验方案及设备 | 第20-30页 |
| 2.1 试验设备及工装 | 第20-23页 |
| 2.1.1 真空系统 | 第20-21页 |
| 2.1.2 脉冲电源 | 第21-22页 |
| 2.1.3 示波器 | 第22页 |
| 2.1.4 阴极靶工装 | 第22-23页 |
| 2.2 靶材与基片结构 | 第23-25页 |
| 2.3 试验方案 | 第25-28页 |
| 2.3.1 朗缪尔探针及等离子体密度测量 | 第25-27页 |
| 2.3.2 薄膜沉积 | 第27-28页 |
| 2.4 测试分析方法 | 第28-30页 |
| 2.4.1 薄膜厚度及沉积速率测量 | 第28页 |
| 2.4.2 薄膜表面形貌观察 | 第28页 |
| 2.4.3 纳米硬度及膜基结合力测量 | 第28-30页 |
| 第3章 脉冲二极溅射辉光放电特性研究 | 第30-42页 |
| 3.1 脉冲放电靶电流曲线基本特征 | 第30-32页 |
| 3.2 电源脉宽和频率及靶基距对放电电流的影响 | 第32-34页 |
| 3.3 氩气气压对脉冲辉光放电电流的影响 | 第34-36页 |
| 3.4 靶电压对脉冲辉光放电的影响 | 第36-39页 |
| 3.5 基片电流曲线分析 | 第39-40页 |
| 3.6 本章小结 | 第40-42页 |
| 第4章 等离子体密度测量及其随时间和空间位置的变化规律 | 第42-53页 |
| 4.1 普通直流二极辉光放电等离子体密度测量 | 第42-44页 |
| 4.2 脉冲放电等离子体密度的测量 | 第44-49页 |
| 4.3 不同气压下等离子体的产生和衰减过程 | 第49-50页 |
| 4.4 不同空间位置等离子体密度分布 | 第50-51页 |
| 4.5 本章小结 | 第51-53页 |
| 第5章 脉冲二极溅射沉积规律及薄膜性能研究 | 第53-71页 |
| 5.1 薄膜均匀性及气压和电压等参数对薄膜沉积速率的影响 | 第53-58页 |
| 5.2 各参数对薄膜表面质量的影响 | 第58-63页 |
| 5.3 靶基结构对薄膜沉积的影响 | 第63-66页 |
| 5.4 薄膜力学性能测试 | 第66-69页 |
| 5.5 本章小结 | 第69-71页 |
| 结论 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-79页 |
| 致谢 | 第79页 |