| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 低维体系的电子性质 | 第10-11页 |
| 1.2 二维异质结构的界面超导理论 | 第11-13页 |
| 1.3 二维体系薄膜材料的外延生长 | 第13-17页 |
| 1.3.1 薄膜中的晶体缺陷 | 第14-15页 |
| 1.3.2 薄膜的成核和长大理论 | 第15-16页 |
| 1.3.3 层状材料的范德瓦尔斯外延生长 | 第16-17页 |
| 1.4 论文内容安排 | 第17-18页 |
| 第二章 实验技术和原理 | 第18-27页 |
| 2.1 超高真空技术 | 第18-21页 |
| 2.2 分子束外延技术 | 第21-22页 |
| 2.3 扫描隧道显微镜技术 | 第22-23页 |
| 2.4 微纳米加工技术 | 第23-25页 |
| 2.4.1 光学曝光技术 | 第23-24页 |
| 2.4.2 刻蚀技术 | 第24-25页 |
| 2.5 综合物性测量系统 | 第25-26页 |
| 2.6 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 SrTiO_3(001)衬底的处理及FeSe超导薄膜的分子束外延生长 | 第27-42页 |
| 3.1 SrTiO_3的结构以及表面研究进展 | 第27-28页 |
| 3.2 单一TiO_2终止的SrTiO_3(001)表面的制备 | 第28-31页 |
| 3.2.1 STO衬底的具体制备步骤 | 第29页 |
| 3.2.2 制备过程中的关键因素讨论 | 第29-31页 |
| 3.3 SrTiO_3衬底上FeSe薄膜的生长及超导电性的研究 | 第31-33页 |
| 3.3.1 铁基超导体系的研究概况 | 第32-33页 |
| 3.3.2 铁基“11”体系的研究概况 | 第33页 |
| 3.4 FeSe薄膜的分子束外延生长 | 第33-36页 |
| 3.5 FeSe薄膜在SrO面和TiO_2面上的选择性生长 | 第36页 |
| 3.6 FeSe薄膜的超导电性的输运研究 | 第36-41页 |
| 3.6.1 单层FeSe薄膜的输运测量 | 第37-39页 |
| 3.6.2 门电压对超导转变温度的调节 | 第39-41页 |
| 3.7 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 总结与展望 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-49页 |
| 缩略语 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 攻读学位期间发表或已录用的学术论文 | 第51页 |
