摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-11页 |
1 绪论 | 第11-24页 |
·研究背景及意义 | 第11-12页 |
·TiO_2的基本属性 | 第12-15页 |
·TiO_2的三种晶体结构 | 第12-13页 |
·能带理论的基本概念 | 第13-15页 |
·TiO_2的光催化机理 | 第15-17页 |
·光催化反应过程 | 第15-16页 |
·光生载流子的迁移 | 第16-17页 |
·光吸收过程 | 第17页 |
·TiO_2光催化的主要应用 | 第17-19页 |
·杀菌 | 第17页 |
·水处理 | 第17-18页 |
·空气净化 | 第18页 |
·其它方面 | 第18-19页 |
·国内外TiO_2光催化的研究现状及进展 | 第19-22页 |
·表面光敏化 | 第19页 |
·半导体复合 | 第19页 |
·贵金属沉积 | 第19页 |
·离子掺杂改性 | 第19-22页 |
·本课题的研究重点和方法 | 第22-24页 |
·课题的提出和重要性 | 第22-23页 |
·研究内容 | 第23-24页 |
2 第一性原理方法简介 | 第24-41页 |
·绝热近似——Born-Oppenheimer近似 | 第24-25页 |
·单电子近似 | 第25-27页 |
·密度泛函理论 | 第27-28页 |
·交换关联泛函的求解 | 第28-32页 |
·局域密度近似LDA | 第28-29页 |
·广义梯度近似GGA | 第29-31页 |
·DFT+U方法 | 第31-32页 |
·基于密度泛函的第一性原理的实现 | 第32-35页 |
·Bloch定理 | 第32页 |
·平面波基组 | 第32-33页 |
·赝势 | 第33-35页 |
·本文采用的软、硬件环境和研究方法 | 第35-41页 |
·VASP与materials studio软件包简介 | 第35-37页 |
·硬件环境 | 第37-38页 |
·本文采用的研究方法 | 第38-41页 |
3 本征TiO_2的电子性质研究 | 第41-48页 |
·计算模型的建立 | 第41页 |
·计算参数的选择 | 第41-43页 |
·截断能大小的选择 | 第42页 |
·计算精度的选择 | 第42页 |
·K点的选择 | 第42页 |
·交换关联能的选择 | 第42-43页 |
·几何结构优化结果 | 第43-44页 |
·电子结构计算与分析 | 第44-46页 |
·能带结构 | 第44-45页 |
·态密度图 | 第45-46页 |
·TiO_2电子结构与其光催化活性的关系 | 第46-47页 |
·本章小结 | 第47-48页 |
4 3d、4d金属元素掺杂锐钛矿TiO_2的电子性质研究 | 第48-55页 |
·计算模型的建立 | 第49-50页 |
·计算参数的选择 | 第50页 |
·电子结构的计算与分析 | 第50-54页 |
·3d过渡金属掺杂 | 第50-52页 |
·4d金属掺杂 | 第52-54页 |
·本章小结 | 第54-55页 |
5 N/Zr共掺杂对锐钛矿TiO_2的电子性质研究 | 第55-64页 |
·计算模型的建立 | 第55-56页 |
·计算参数的选择 | 第56页 |
·形成能的计算 | 第56-58页 |
·电子性质的计算与分析 | 第58-63页 |
·本章小结 | 第63-64页 |
6 N/Ce共掺杂对锐钛矿TiO_2的电子性质研究 | 第64-71页 |
·计算模型的建立 | 第64-65页 |
·计算参数的选择 | 第65页 |
·形成能的计算 | 第65-66页 |
·电子性质的计算与分析 | 第66-70页 |
·本章小结 | 第70-71页 |
结论 | 第71-72页 |
参考文献 | 第72-77页 |
攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第77-78页 |
致谢 | 第78-79页 |