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单层MoS2的电子结构及晶格动力学研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
符号对照表第11-12页
缩略语对照表第12-15页
第一章 绪论第15-21页
    1.1 二硫化钼(MoS_2)简介第15-17页
    1.2 密度泛函理论第17-18页
    1.3 MS软件介绍第18页
    1.4 文章的研究内容第18-21页
第二章 单层MoS_2的光电性质及晶格动力学计算第21-31页
    2.1 单层MoS_2的光电性质第21-26页
        2.1.1 单层MoS_2光电性质计算模型第21-22页
        2.1.2 单层MoS_2的电子结构第22-24页
        2.1.3 单层MoS_2的光学性质第24-26页
    2.2 MoS_2的声子谱第26-30页
    2.3 本章小结第30-31页
第三章 空位缺陷对单层MoS_2电子结构的影响第31-39页
    3.1 空位缺陷的形成能及缺陷附近的晶格畸变第32-33页
    3.2 含有空位缺陷MoS_2中的电子分布第33-34页
    3.3 含有空位缺陷MoS_2的态密度和能带结构第34-37页
    3.4 本章小结第37-39页
第四章 稀土元素掺杂单层MoS_2的光电性质及磁表现第39-57页
    4.1 稀土元素掺杂单层MoS_2的电子结构第39-45页
        4.1.1 La、Ce、Nd杂质附近的晶格畸变第40-41页
        4.1.2 La、Ce、Nd掺杂MoS_2体系的能带结构及态密度第41-44页
        4.1.3 La、Ce、Nd掺杂MoS_2的差分电荷密度第44-45页
    4.2 La、Ce、Nd掺杂MoS_2的光学性质第45-50页
        4.2.1 介电函数和吸收系数第46-48页
        4.2.2 复折射率、反射率及能量损失谱第48-50页
    4.3 La元素掺杂单层MoS_2的磁性计算第50-55页
        4.3.1 两种方式计算La掺杂磁性晶格参数变化的对比分析第51-52页
        4.3.2 不同计算方式所得能带结构及态密度的对比第52-55页
    4.4 本章小结第55-57页
第五章 总结与展望第57-59页
参考文献第59-65页
致谢第65-67页
作者简介第67-68页

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