| 中文摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 综述 | 第9-31页 |
| 1.1 霍尔效应与自旋电子学 | 第9-13页 |
| 1.1.1 自旋相关散射 | 第9-10页 |
| 1.1.2 垂直各向异性 | 第10-11页 |
| 1.1.3 自旋转移矩 | 第11-13页 |
| 1.2 反常霍尔效应的物理机制及标度理论 | 第13-17页 |
| 1.2.1 反常霍尔效应的物理机制 | 第13-15页 |
| 1.2.2 反常霍尔效应的标度理论 | 第15-17页 |
| 1.3 CoFeB薄膜的研究现状 | 第17-25页 |
| 1.3.1 CoFeB薄膜的基本性质 | 第17-21页 |
| 1.3.2 CoFeB基磁性隧道结 | 第21-23页 |
| 1.3.3 CoFeB基垂直各向异性 | 第23-25页 |
| 1.4 金属/半导体异质结构的输运理论 | 第25-30页 |
| 1.4.1 半导体的能带弯曲 | 第25-27页 |
| 1.4.2 金属/半导体异质结构的输运机制 | 第27-30页 |
| 1.5 本论文的工作 | 第30-31页 |
| 第二章 样品的制备、结构表征与物性测量 | 第31-37页 |
| 2.1 CoFeB薄膜及异质结构的制备 | 第31-33页 |
| 2.1.1 对向靶磁控溅射仪的工作原理 | 第31-32页 |
| 2.1.2 CoFeB薄膜及异质结构的制备方法 | 第32-33页 |
| 2.2 样品的结构表征和物性测量 | 第33-37页 |
| 2.2.1 表面形貌测量仪(台阶仪) | 第33页 |
| 2.2.2 X射线衍射仪(XRD) | 第33-34页 |
| 2.2.3 原子力显微镜(AFM) | 第34页 |
| 2.2.4 透射电子显微镜(TEM) | 第34-35页 |
| 2.2.5 磁性测量系统(MPMS) | 第35页 |
| 2.2.6 物理性质测量系统(PPMS) | 第35-37页 |
| 第三章 CoFeB薄膜的电输运特性 | 第37-55页 |
| 3.1 CoFeB薄膜的表面形貌和结构 | 第37-40页 |
| 3.2 CoFeB薄膜的磁性 | 第40-43页 |
| 3.3 CoFeB薄膜的电输运特性 | 第43-46页 |
| 3.4 CoFeB薄膜的反常霍尔效应的标度理论 | 第46-54页 |
| 3.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 CoFeB/SiO_2/n-Si异质结构的电输运特性 | 第55-72页 |
| 4.1 CoFeB/SiO_2/n-Si异质结构的界面结构 | 第55-56页 |
| 4.2 CoFeB/SiO_2/n-Si异质结构的电输运特性 | 第56-59页 |
| 4.3 CoFeB/SiO_2/n-Si异质结构的霍尔效应 | 第59-65页 |
| 4.4 CoFeB/SiO_2/n-Si异质结构的磁电阻效应 | 第65-71页 |
| 4.5 本章小结 | 第71-72页 |
| 第五章 总结 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-83页 |
| 攻读硕士学位期间完成的学术论文 | 第83-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
