| 摘要 | 第11-15页 |
| ABSTRACT | 第15-19页 |
| 第一章 绪论 | 第20-39页 |
| 1.1 (D)ADP和(D)KDP晶体的结构和性质 | 第20-23页 |
| 1.2 惯性约束核聚变(ICF)与KDP/ADP晶体 | 第23-27页 |
| 1.3 ADP/DADP晶体的研究现状 | 第27-32页 |
| 1.3.1 ADP/DADP晶体的生长研究 | 第27-31页 |
| 1.3.2 ADP晶体的光学质量研究 | 第31-32页 |
| 1.4 本论文的主要研究目的和研究内容 | 第32-34页 |
| 参考文献 | 第34-39页 |
| 第二章 (D)ADP晶体的生长 | 第39-63页 |
| 2.1 KDP和ADP生长差异 | 第41-44页 |
| 2.1.1 KDP和ADP生长溶液差异 | 第41-42页 |
| 2.1.2 KDP和ADP生长结构差异 | 第42-44页 |
| 2.2 ADP晶体生长 | 第44-51页 |
| 2.2.1 KDP籽晶生长ADP晶体 | 第45-46页 |
| 2.2.2 Z切晶片的ADP传统生长 | 第46-47页 |
| 2.2.3 锥头籽晶的ADP传统生长 | 第47-48页 |
| 2.2.4 不同原料及生长温度的ADP点籽晶快速生长 | 第48-50页 |
| 2.2.5 中等口径ADP点籽晶快速生长 | 第50-51页 |
| 2.3 (D)ADP晶体的生长 | 第51-54页 |
| 2.3.1 DADP晶体生长溶液的配制 | 第51-52页 |
| 2.3.2 系列DADP晶体的传统降温生长 | 第52-53页 |
| 2.3.3 不同过饱和度的70%DADP晶体生长 | 第53-54页 |
| 2.4 ADP生长的微观研究 | 第54-57页 |
| 2.5 本章小结 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 第三章 (D)ADP晶体的结构研究 | 第63-87页 |
| 3.1 系列DADP晶体的结晶完整性 | 第63-68页 |
| 3.1.1 理想晶体半峰宽计算 | 第64-66页 |
| 3.1.2 摇摆曲线测试 | 第66-68页 |
| 3.2 DADP晶体的粉末XRD | 第68-70页 |
| 3.3 DADP晶体的粉末中子衍射实验 | 第70-77页 |
| 3.3.1 氘含量对晶格参数的影响 | 第71-73页 |
| 3.3.2 氘的分布 | 第73-77页 |
| 3.4 DADP晶体的拉曼光谱 | 第77-81页 |
| 3.4.1 氘化对拉曼光谱的影响 | 第79-80页 |
| 3.4.2 氘含量的确定 | 第80-81页 |
| 3.5 相变温度 | 第81-84页 |
| 3.6 本章小结 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-87页 |
| 第四章 (D)ADP晶体的热学和电学性质 | 第87-108页 |
| 4.1 热学性质 | 第87-95页 |
| 4.1.1 比热性质 | 第88-91页 |
| 4.1.2 热膨胀系数 | 第91-93页 |
| 4.1.3 热导和热扩散 | 第93-95页 |
| 4.2 电学性质 | 第95-105页 |
| 4.2.1 电导性质 | 第95-102页 |
| 4.2.2 介电性质 | 第102-105页 |
| 4.3 本章小结 | 第105-106页 |
| 参考文献 | 第106-108页 |
| 第五章 (D)ADP晶体的光学性质 | 第108-146页 |
| 5.1 晶体的折射率 | 第108-120页 |
| 5.1.1 样品制备及折射率测试 | 第109-110页 |
| 5.1.2 DKDP晶体的折射率 | 第110-116页 |
| 5.1.3 DADP晶体的折射率 | 第116-118页 |
| 5.1.4 DKDP和DADP晶体的折射率对比 | 第118-120页 |
| 5.2 DADP晶体的非线性系数 | 第120-124页 |
| 5.2.1 样品制备及实验测试 | 第121-122页 |
| 5.2.2 氘化对DADP晶体非线性系数的影响 | 第122-124页 |
| 5.3 (D)ADP晶体的透过率 | 第124-129页 |
| 5.3.1 样品制备及透过率测试 | 第125页 |
| 5.3.2 氘含量对DADP晶体透过率的影响 | 第125-126页 |
| 5.3.3 不同生长温度区间对ADP晶体透过率的影响 | 第126-128页 |
| 5.3.4 不同生长原料对ADP晶体透过率的影响 | 第128页 |
| 5.3.5 不同生长方法对ADP晶体透过率的影响 | 第128-129页 |
| 5.4 ADP晶体的三倍频转换 | 第129-134页 |
| 5.4.1 样品的制备 | 第130-131页 |
| 5.4.2 ADP晶体三倍频转换效率的研究 | 第131-134页 |
| 5.5 ADP/DADP晶体的损伤测试 | 第134-140页 |
| 5.5.1 损伤测试实验 | 第135-136页 |
| 5.5.2 生长方法对ADP晶体损伤阈值的影响 | 第136-137页 |
| 5.5.3 生长区域及厚度对损伤阈值的影响 | 第137-139页 |
| 5.5.4 氘化对ADP损伤阈值的影响 | 第139-140页 |
| 5.6 本章小结 | 第140-142页 |
| 参考文献 | 第142-146页 |
| 第六章 结论与展望 | 第146-150页 |
| 6.1 本论文的主要结论 | 第146-148页 |
| 6.2 本论文的主要创新点 | 第148-149页 |
| 6.3 有待进一步研究的问题 | 第149-150页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第150-152页 |
| 致谢 | 第152-154页 |
| 附录1 | 第154-163页 |
| 附录2 | 第163-168页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第168页 |
