| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第14-35页 |
| 1.1 课题背景及研究意义 | 第14-15页 |
| 1.2 国内外发展现状 | 第15-31页 |
| 1.2.1 单粒子效应电荷收集机理研究 | 第16-18页 |
| 1.2.2 单粒子效应电荷共享机理研究 | 第18-22页 |
| 1.2.3 工艺波动对电荷收集共享的影响研究 | 第22-24页 |
| 1.2.4 敏感体模型研究 | 第24-29页 |
| 1.2.5 单粒子瞬态加固技术研究 | 第29-31页 |
| 1.3 相关研究存在的不足 | 第31-32页 |
| 1.4 论文的主要研究内容 | 第32-33页 |
| 1.5 论文结构 | 第33-35页 |
| 第2章 开态晶体管电荷收集影响研究 | 第35-60页 |
| 2.1 引言 | 第35-36页 |
| 2.2 敏感体建模 | 第36-46页 |
| 2.2.1 器件建模 | 第37-39页 |
| 2.2.2 关态晶体管敏感体参数提取 | 第39-41页 |
| 2.2.3 开态晶体管敏感体参数提取 | 第41-44页 |
| 2.2.4 电荷收集系数提取 | 第44-45页 |
| 2.2.5 单粒子翻转和再恢复临界电荷计算 | 第45-46页 |
| 2.3 软错误评估 | 第46-58页 |
| 2.3.1 金属互连层建模 | 第46-47页 |
| 2.3.2 软错误仿真平台构建 | 第47-51页 |
| 2.3.3 单粒子翻转截面 | 第51-52页 |
| 2.3.4 多单元翻转错误率分析 | 第52-55页 |
| 2.3.5 小尺寸器件单粒子效应趋势 | 第55-58页 |
| 2.4 本章小结 | 第58-60页 |
| 第3章 工艺波动对电荷收集共享影响研究 | 第60-84页 |
| 3.1 引言 | 第60-61页 |
| 3.2 工艺波动对电荷收集共享导致单粒子瞬态脉宽窄化影响研究 | 第61-73页 |
| 3.2.1 器件模型构建 | 第61-63页 |
| 3.2.2 整体参数波动对单粒子瞬态脉宽影响分析 | 第63-67页 |
| 3.2.3 单独参数波动对单粒子瞬态脉宽影响分析 | 第67-73页 |
| 3.3 工艺波动对DICE加固失效影响分析 | 第73-80页 |
| 3.3.1 DICE模拟设置 | 第73-75页 |
| 3.3.2 LET阈值仿真 | 第75-77页 |
| 3.3.3 整体参数波动对DICE加固失效影响分析 | 第77-78页 |
| 3.3.4 单独参数波动对DICE加固失效影响分析 | 第78-80页 |
| 3.4 工艺波动对单粒子翻转截面的影响 | 第80-83页 |
| 3.5 本章小结 | 第83-84页 |
| 第4章 N~+深阱工艺阱掺杂对电荷收集共享影响研究 | 第84-100页 |
| 4.1 引言 | 第84-85页 |
| 4.2 阱掺杂对电荷收集的影响 | 第85-89页 |
| 4.3 阱掺杂对电荷共享的影响 | 第89-97页 |
| 4.3.1 阱掺杂对组合电路单粒子多瞬态的影响 | 第90-91页 |
| 4.3.2 阱掺杂对组合电路单粒子脉宽窄化的影响 | 第91-95页 |
| 4.3.3 阱掺杂对SRAM单粒子翻转再恢复的影响 | 第95-97页 |
| 4.4 N~+深阱工艺阱掺杂对SRAM单粒子翻转截面影响 | 第97-99页 |
| 4.5 本章小结 | 第99-100页 |
| 第5章 增强虚拟晶体管单粒子瞬态加固技术 | 第100-110页 |
| 5.1 引言 | 第100页 |
| 5.2 增强虚拟晶体管加固技术 | 第100-106页 |
| 5.2.1 器件模型构建 | 第102-103页 |
| 5.2.2 不同入射方向分析 | 第103-105页 |
| 5.2.3 不同入射位置分析 | 第105-106页 |
| 5.3 增强虚拟晶体管加固技术应用扩展 | 第106-109页 |
| 5.4 面积开销对比 | 第109页 |
| 5.5 本章小结 | 第109-110页 |
| 结论 | 第110-112页 |
| 参考文献 | 第112-123页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文及其他成果 | 第123-126页 |
| 致谢 | 第126-128页 |
| 个人简历 | 第128页 |
