| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第11页 |
| 1.2 980 nm超短脉冲光纤激光器的研究进展 | 第11-14页 |
| 1.3 超短脉冲光纤激光相干合成技术的研究进展 | 第14-18页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第18-20页 |
| 第2章 掺镱光纤三能级脉冲激光理论基础 | 第20-36页 |
| 2.1 光纤中脉冲传输的影响因素 | 第20-27页 |
| 2.1.1 色散对脉冲传输的影响 | 第21-24页 |
| 2.1.2 非线性对脉冲传输的影响 | 第24-26页 |
| 2.1.3 色散和非线性共同作用下对脉冲传输的影响 | 第26-27页 |
| 2.2 掺镱光纤激光三能级起振理论分析 | 第27-31页 |
| 2.2.1 四能级增益竞争及三能级重吸收的抑制 | 第28-29页 |
| 2.2.2 增益光纤最佳长度的选择 | 第29-31页 |
| 2.3 快慢可饱和吸收体的锁模机制分析及模拟 | 第31-35页 |
| 2.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第3章 掺镱光子晶体光纤三能级脉冲激光器研究 | 第36-54页 |
| 3.1 978nm超短脉冲光子晶体光纤激光器 | 第36-43页 |
| 3.1.1 978nm超短脉冲光子晶体光纤激光器理论模拟 | 第36-39页 |
| 3.1.2 978nm超短脉冲光子晶体光纤激光器实验研究 | 第39-43页 |
| 3.2 二硫化钼可饱和吸收体在 980 nm波段调制作用研究 | 第43-49页 |
| 3.2.1 利用化学气相沉积法制备二硫化钼可饱和吸收体 | 第44-45页 |
| 3.2.2 新材料可饱和吸收体的特性检测 | 第45-47页 |
| 3.2.3 二硫化钼可饱和吸收体在 980nm的调Q研究 | 第47-49页 |
| 3.3 掺镱光纤激光器 980 nm波段MOPA放大研究 | 第49-52页 |
| 3.3.1 980 nm波段MOPA放大理论模拟 | 第49-51页 |
| 3.3.2 980nm波段MOPA放大实验研究 | 第51-52页 |
| 3.4 本章小结 | 第52-54页 |
| 第4章 光纤激光器相干合成技术研究 | 第54-74页 |
| 4.1 相干合成技术理论分析及实现 | 第54-56页 |
| 4.1.1 相干合成技术理论分析 | 第54-56页 |
| 4.1.2 脉冲激光相干合成实现的关键技术 | 第56页 |
| 4.2 光纤相干合成主动相位控制算法 | 第56-58页 |
| 4.2.1 光束质量的评判标准 | 第56-57页 |
| 4.2.2 自适应相位控制算法 | 第57-58页 |
| 4.3 光纤激光相干合成硬件控制平台的设计 | 第58-61页 |
| 4.3.1 硬件控制平台系统组成及实现 | 第58-59页 |
| 4.3.2 控制平台的性能分析 | 第59-61页 |
| 4.4 多路高斯光束相干合成算法理论仿真分析 | 第61-64页 |
| 4.5 光纤激光相干合成实验研究 | 第64-73页 |
| 4.5.1 单频光纤激光器的相干合成研究 | 第64-67页 |
| 4.5.2 超短脉冲光纤激光器的相干合成研究 | 第67-73页 |
| 4.6 本章小结 | 第73-74页 |
| 结论 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-82页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第82-84页 |
| 致谢 | 第84页 |
