| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 第1章 引言 | 第10-14页 |
| 1.1 忆阻器理论的提出 | 第10页 |
| 1.2 最近几年忆阻器的发展及相关研究成果 | 第10-11页 |
| 1.3 参数对忆阻器的影响思路 | 第11-12页 |
| 1.4 论文研究的背景和意义 | 第12-13页 |
| 1.5 论文内容安排及结构 | 第13-14页 |
| 第2章 惠普忆阻器 | 第14-23页 |
| 2.1 惠普忆阻器的数学模型 | 第14-16页 |
| 2.2 窗函数对忆阻器的特性影响 | 第16-20页 |
| 2.2.1 BIOLEK窗函数 | 第17-18页 |
| 2.2.2 JOGLEKAR窗函数 | 第18页 |
| 2.2.3 简易窗函数 | 第18-20页 |
| 2.3 惠普忆阻器仿真分析 | 第20-22页 |
| 2.4 小结 | 第22-23页 |
| 第3章 自旋忆阻器 | 第23-28页 |
| 3.1 自旋忆阻器模型 | 第23-24页 |
| 3.2 自旋忆阻器的仿真分析 | 第24-26页 |
| 3.3 自旋忆阻器的SIMULINK仿真 | 第26-27页 |
| 3.4 小结 | 第27-28页 |
| 第4章 外围激励对忆阻器特性的影响分析 | 第28-33页 |
| 4.1 电压对惠普忆阻器的特性影响分析 | 第28-30页 |
| 4.1.1 电压幅值对惠普忆阻器的特性影响分析 | 第28-29页 |
| 4.1.2 电压频率对惠普忆阻器的特性影响分析 | 第29-30页 |
| 4.2 电压对自旋忆阻器的特性影响分析 | 第30-32页 |
| 4.2.1 电压幅值对自旋忆阻器的特性影响分析 | 第30-31页 |
| 4.2.2 电压频率对自旋忆阻器的特性影响分析 | 第31-32页 |
| 4.3 小结 | 第32-33页 |
| 第5章 长度参数对忆阻器的特性影响 | 第33-45页 |
| 5.1 长度参数对HP忆阻器模型的特性影响 | 第33-35页 |
| 5.2 长度参数对自旋忆阻器模型的特性影响 | 第35-38页 |
| 5.3 长度参数对HP忆阻器导电特性影响的实验仿真 | 第38-41页 |
| 5.4 长度参数对自旋忆阻器导电特性影响的实验仿真 | 第41-44页 |
| 5.5 小结 | 第44-45页 |
| 第6章 横截面积参数对忆阻器的特性影响 | 第45-55页 |
| 6.1 横截面积参数对HP忆阻器模型的特性影响 | 第45-47页 |
| 6.2 尺寸参数对自旋忆阻器模型的特性影响 | 第47-50页 |
| 6.3 横截面积参数对惠普忆阻器导电特性影响的实验分析 | 第50-52页 |
| 6.4 尺寸参数对自旋忆阻器导电特性影响的实验仿真 | 第52-54页 |
| 6.5 小结 | 第54-55页 |
| 第7章 总结与展望 | 第55-57页 |
| 7.1 本文的主要工作 | 第55页 |
| 7.2 将来的工作 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第63页 |
