| 摘要 | 第3-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-31页 |
| 1.1 引言 | 第13页 |
| 1.2 ZnO材料的基本性质 | 第13-17页 |
| 1.2.1 ZnO的晶体结构 | 第13-15页 |
| 1.2.2 ZnO的能带结构 | 第15页 |
| 1.2.3 ZnO的发光特性 | 第15-16页 |
| 1.2.4 ZnO的掺杂 | 第16-17页 |
| 1.3 GaN材料的基本性质 | 第17-20页 |
| 1.3.1 GaN的晶体结构 | 第17-19页 |
| 1.3.2 GaN的能带结构 | 第19页 |
| 1.3.3 GaN的物理化学性质 | 第19-20页 |
| 1.3.4 GaN的掺杂 | 第20页 |
| 1.4 ZnO和GaN半导体材料在器件中的应用 | 第20-21页 |
| 1.4.1 ZnO材料在发光器件中的应用 | 第20-21页 |
| 1.4.2 GaN材料在发光器件中的应用 | 第21页 |
| 1.5 n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结构简介 | 第21-27页 |
| 1.5.1 PN结原理 | 第21-22页 |
| 1.5.2 ZnO纳米棒的性质和应用 | 第22-25页 |
| 1.5.3 n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结构的研究进展 | 第25-27页 |
| 1.6 选题思路以及主要工作 | 第27-31页 |
| 第二章 样品的制备原理和表征方法 | 第31-41页 |
| 2.1 样品的制备原理 | 第31-37页 |
| 2.1.1 p-GaN的制备原理 | 第31-33页 |
| 2.1.2 GaN的湿法腐蚀 | 第33-34页 |
| 2.1.3 ZnO纳米棒的制备原理 | 第34-37页 |
| 2.2 表征方法 | 第37-41页 |
| 2.2.1 高分辨X射线衍射(HRXRD) | 第37-38页 |
| 2.2.2 光致发光谱（PL） | 第38页 |
| 2.2.3 原子力显微镜（AFM） | 第38-39页 |
| 2.2.4 场发射扫描电子显微镜（FESEM） | 第39-41页 |
| 第三章n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结构的界面调控 | 第41-49页 |
| 3.1 引言 | 第41页 |
| 3.2 样品制备 | 第41-43页 |
| 3.2.1 p-GaN材料的制备 | 第41-42页 |
| 3.2.2 GaN的湿法腐蚀 | 第42页 |
| 3.2.3 ZnO纳米棒阵列的生长 | 第42-43页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第43-47页 |
| 3.3.1 GaN的形貌表征 | 第43页 |
| 3.3.2 GaN的结构表征 | 第43-44页 |
| 3.3.3 ZnO纳米棒的形貌表征 | 第44-46页 |
| 3.3.4 ZnO纳米棒的结构表征 | 第46页 |
| 3.3.5 ZnO纳米棒的光学性能分析 | 第46-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 界面调控后n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结构的生长演化机制及生长工艺优化 | 第49-61页 |
| 4.1 引言 | 第49页 |
| 4.2 界面调控后n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结构的生长演化 | 第49-53页 |
| 4.2.1 样品的制备 | 第49-50页 |
| 4.2.2 不同生长时间下的n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结构的表面形貌 | 第50-51页 |
| 4.2.3 不同生长时间下的n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结构的晶体质量 | 第51-52页 |
| 4.2.4 不同生长时间下的n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结构的光学性能 | 第52-53页 |
| 4.3 界面调控后n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结构的生长工艺优化 | 第53-58页 |
| 4.3.1 生长温度对n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结构的影响 | 第53-56页 |
| 4.3.2 生长浓度对n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结构的影响 | 第56-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-61页 |
| 第五章 结论与展望 | 第61-63页 |
| 5.1 结论 | 第61-62页 |
| 5.2 展望 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-75页 |
