| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-46页 |
| 1.1 序言 | 第10-11页 |
| 1.2 拓扑绝缘体 | 第11-18页 |
| 1.2.1 量子霍尔效应 | 第11-13页 |
| 1.2.2 量子自旋霍尔效应 | 第13-15页 |
| 1.2.3 三维拓扑绝缘体 | 第15-18页 |
| 1.3 拓扑半金属 | 第18-21页 |
| 1.3.1 Dirac半金属 | 第18-20页 |
| 1.3.2 Weyl半金属 | 第20-21页 |
| 1.4 材料中的磁阻效应 | 第21-28页 |
| 1.4.1 常磁电阻效应 | 第21-22页 |
| 1.4.2 巨磁电阻效应 | 第22-24页 |
| 1.4.3 庞磁电阻效应 | 第24-25页 |
| 1.4.4 极大磁电阻效应 | 第25-27页 |
| 1.4.5 几何磁电阻效应 | 第27-28页 |
| 1.5 单/双载流子模型中的霍尔效应 | 第28-31页 |
| 1.5.1 单载流子模型下的霍尔效应 | 第29页 |
| 1.5.2 双载流子模型下的霍尔效应 | 第29-31页 |
| 1.6 局域化效应 | 第31-36页 |
| 1.6.1 弱局域化效应 | 第32-34页 |
| 1.6.2 弱反局域化效应 | 第34-36页 |
| 1.7 朗道能级与量子振荡 | 第36-41页 |
| 1.7.1 朗道能级 | 第36-37页 |
| 1.7.2 量子振荡 | 第37-39页 |
| 1.7.3 拓扑材料中的量子振荡 | 第39-41页 |
| 1.8 单晶生长方法 | 第41-46页 |
| 1.8.1 固相生长 | 第42页 |
| 1.8.2 液相生长 | 第42-43页 |
| 1.8.3 气相生长 | 第43-46页 |
| 第二章 Weyl半金属TaAs家族单晶生长与输运性质的研究 | 第46-64页 |
| 2.1 研究背景 | 第46页 |
| 2.2 TaAs单晶的生长与晶体结构的表征 | 第46-48页 |
| 2.3 TaAs单晶中电输运性质的研究 | 第48-60页 |
| 2.3.1 TaAs中的极大磁电阻效应 | 第48-50页 |
| 2.3.2 TaAs中的负磁阻效应 | 第50-53页 |
| 2.3.3 三维的费米面 | 第53-54页 |
| 2.3.4 TaAs中的霍尔效应 | 第54-58页 |
| 2.3.5 TaAs中的SdH振荡 | 第58-60页 |
| 2.4 小结与展望 | 第60-64页 |
| 第三章 拓扑材料HfTe_5单晶生长与输运性质的研究 | 第64-80页 |
| 3.1 研究背景 | 第64-68页 |
| 3.2 HfTe_5单晶的生长与晶体结构的表征 | 第68-69页 |
| 3.3 HfTe_5中电输运性质的研究 | 第69-76页 |
| 3.3.1 HfTe_5中的磁阻 | 第70-74页 |
| 3.3.2 HfTe_5中的霍尔效应 | 第74-76页 |
| 3.4 讨论 | 第76-78页 |
| 3.5 小结与展望 | 第78-80页 |
| 第四章 极大磁电阻材料灰砷单晶输运性质的研究 | 第80-94页 |
| 4.1 引言 | 第80-81页 |
| 4.2 灰砷单晶的生长与晶体结构的表征 | 第81-82页 |
| 4.3 灰砷中电输运性质的研究 | 第82-92页 |
| 4.3.1 灰砷中的极大磁电阻效应 | 第82-85页 |
| 4.3.2 灰砷中的霍尔效应 | 第85-86页 |
| 4.3.3 灰砷中的SdH振荡 | 第86-89页 |
| 4.3.4 灰砷中负磁阻性质的研究 | 第89-92页 |
| 4.4 本章小结 | 第92-94页 |
| 论文总结 | 第94-96页 |
| 参考文献 | 第96-106页 |
| 个人简历及发表文章目录 | 第106-112页 |
| 致谢 | 第112-113页 |