| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第10-38页 |
| 1.1 阻变效应简介 | 第10-12页 |
| 1.1.1 阻变效应的分类 | 第10-11页 |
| 1.1.2 阻变效应研究的历史与现状 | 第11-12页 |
| 1.2 阻变效应的机制 | 第12-21页 |
| 1.2.1 激活("forming")过程 | 第12-14页 |
| 1.2.2 混合离子/电子电导模型 | 第14-15页 |
| 1.2.3 电化学反应模型 | 第15-17页 |
| 1.2.4 焦耳热模型 | 第17-18页 |
| 1.2.5 电荷trapping/detrapping模型 | 第18-19页 |
| 1.2.6 互补型阻变器件 | 第19-20页 |
| 1.2.7 阻变行为随扫描偏压范围的变化 | 第20-21页 |
| 1.3 MIM结构中的电流 | 第21-26页 |
| 1.3.1 绝缘体中的导电机制 | 第21-23页 |
| 1.3.2 基于氧化物的MIM结构的导电机制 | 第23-26页 |
| 1.4 阻变器件中的低频噪声 | 第26-29页 |
| 1.4.1 高低阻态的噪声 | 第26-28页 |
| 1.4.2 阻变过程的噪声特性 | 第28-29页 |
| 1.5 阻变器件中的弛豫现象 | 第29-30页 |
| 1.6 阻变器件中的光电导效应 | 第30-35页 |
| 1.6.1 TiO_2中的光电流的机制 | 第31-33页 |
| 1.6.2 TiO_2中的可持续光电导 | 第33页 |
| 1.6.3 阻变器件中的光电流 | 第33-35页 |
| 1.7 本文的研究动机与主要内容 | 第35-38页 |
| 第2章 样品制备与实验方法 | 第38-46页 |
| 2.1 引言 | 第38页 |
| 2.2 样品的制备方法 | 第38-41页 |
| 2.2.1 薄膜制备工艺 | 第38-39页 |
| 2.2.2 微电子加工工艺 | 第39页 |
| 2.2.3 阻变器件的电学性能测试方法 | 第39页 |
| 2.2.4 I-V测量 | 第39-40页 |
| 2.2.5 光电流测量 | 第40-41页 |
| 2.3 测量程序说明 | 第41-46页 |
| 2.3.1 I-V的直流/脉冲扫描 | 第41-42页 |
| 2.3.2 电应力测量/准静态I-V/弛豫测量 | 第42-43页 |
| 2.3.3 写入-擦除次数测试 | 第43页 |
| 2.3.4 光电流测量与弛豫测量 | 第43-46页 |
| 第3章 ITO/TiO_2/ITO结构在激活前的低频噪声特性 | 第46-54页 |
| 3.1 引言 | 第46-47页 |
| 3.2 噪声测量 | 第47-51页 |
| 3.2.1 背景噪声 | 第47-49页 |
| 3.2.2 噪声功率谱密度的归一化 | 第49-50页 |
| 3.2.3 正向偏压下的噪声特性 | 第50-51页 |
| 3.2.4 ITO/TiO_2/ITO结构在负向偏压下噪声 | 第51页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第51-53页 |
| 3.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第4章 ITO/TiO_2/ITO结构在激活前的导电特性 | 第54-66页 |
| 4.1 引言 | 第54-56页 |
| 4.2 实验目的与实验条件 | 第56页 |
| 4.3 准静态I-V测量 | 第56-59页 |
| 4.3.1 测量方式 | 第56-57页 |
| 4.3.2 结果与讨论 | 第57-59页 |
| 4.4 脉冲测量 | 第59-62页 |
| 4.4.1 测量方式 | 第59-60页 |
| 4.4.2 结果与讨论 | 第60-62页 |
| 4.5 电应力测量 | 第62-65页 |
| 4.5.1 测量方式 | 第62-63页 |
| 4.5.2 结果与讨论 | 第63-65页 |
| 4.6 本章小结 | 第65-66页 |
| 第5章 ITO/TiO_2/ITO结构的阻变效应与弛豫现象 | 第66-80页 |
| 5.1 引言 | 第66-68页 |
| 5.2 实验目的与实验条件 | 第68-69页 |
| 5.3 ITO/TiO_2/ITO结构的阻变效应 | 第69-75页 |
| 5.3.1 小限流(10 μA)激活与阻变效应 | 第69-72页 |
| 5.3.2 大限流(10 mA)激活与阻变效应 | 第72-75页 |
| 5.4 弛豫现象 | 第75-78页 |
| 5.5 本章小结 | 第78-80页 |
| 第6章 ITO/TiO_2/ITO结构中的光电导效应 | 第80-98页 |
| 6.1 引言 | 第80-81页 |
| 6.2 实验目的与实验条件 | 第81-82页 |
| 6.3 激活前ITO/TiO_2/ITO结构的光电流 | 第82-89页 |
| 6.3.1 光电流的测量方法 | 第82-83页 |
| 6.3.2 光电流与暗电流测量条件的区别 | 第83-84页 |
| 6.3.3 光电流来源 | 第84-85页 |
| 6.3.4 激活前器件光电流的重复性 | 第85-86页 |
| 6.3.5 光电流与光强的依赖关系 | 第86页 |
| 6.3.6 光电流的复合机制 | 第86-87页 |
| 6.3.7 激活前两种结构的光电流对比 | 第87-89页 |
| 6.4 激活后两种结构的光电流对比 | 第89-97页 |
| 6.4.1 大限流(10 mA)激活时器件的光电流 | 第89-94页 |
| 6.4.2 大限流(20 mA)激活时器件的光电流 | 第94-97页 |
| 6.5 本章小结 | 第97-98页 |
| 第7章 总结与展望 | 第98-100页 |
| 7.1 工作总结 | 第98-99页 |
| 7.2 研究展望 | 第99-100页 |
| 参考文献 | 第100-108页 |
| 攻读学位期间发表的学位论文与研究成果 | 第108-109页 |
| 个人简历 | 第109-110页 |
| 致谢 | 第110页 |
