基于CMOS工艺10GHz压控振荡器的研究设计与实现
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外发展状况 | 第10-12页 |
| 1.3 论文结构及主要研究内容 | 第12-15页 |
| 第二章 压控振荡器设计的理论基础 | 第15-31页 |
| 2.1 压控振荡器的数学模型 | 第15-16页 |
| 2.2 压控振荡器的性能参数 | 第16-17页 |
| 2.3 压控振荡器的基本原理 | 第17-23页 |
| 2.3.1 双端口反馈系统分析 | 第17-18页 |
| 2.3.2 单端能量补偿系统分析 | 第18-23页 |
| 2.4 压控振荡器中的无源器件 | 第23-30页 |
| 2.4.1 片上电感 | 第23-25页 |
| 2.4.2 可变电容 | 第25-27页 |
| 2.4.3 电容值的仿真方法 | 第27-30页 |
| 2.5 小结 | 第30-31页 |
| 第三章 压控振荡器的相位噪声分析 | 第31-45页 |
| 3.1 压控振荡器噪声来源 | 第31-33页 |
| 3.1.1 热噪声 | 第31-32页 |
| 3.1.2 闪烁噪声 | 第32页 |
| 3.1.3 散粒噪声 | 第32-33页 |
| 3.1.4 电源与衬底噪声 | 第33页 |
| 3.2 相位噪声的定义 | 第33-34页 |
| 3.3 噪声引起的调幅(AM)与调相(PM) | 第34-36页 |
| 3.3.1 AM和PM的定义 | 第34-35页 |
| 3.3.2 单边带噪声对信号的AM与PM | 第35-36页 |
| 3.4 相位噪声理论模型 | 第36-43页 |
| 3.4.1 理想模型 | 第36-37页 |
| 3.4.2 Leeson模型 | 第37-39页 |
| 3.4.3 Hajimiri模型 | 第39-43页 |
| 3.5 降低相位噪声的措施 | 第43-44页 |
| 3.6 小结 | 第44-45页 |
| 第四章 LC压控振荡器的设计与分析 | 第45-69页 |
| 4.1 压控振荡器整体电路 | 第45-60页 |
| 4.1.1 负阻结构的选择 | 第46页 |
| 4.1.2 电感的选取 | 第46-48页 |
| 4.1.3 可变电容阵列设计 | 第48-52页 |
| 4.1.4 开关电容阵列设计 | 第52-54页 |
| 4.1.5 开关管控制信号Verilog-A建模 | 第54-55页 |
| 4.1.6 负阻电路设计 | 第55-59页 |
| 4.1.7 缓冲级电路设计 | 第59-60页 |
| 4.2 相位噪声优化技术 | 第60-64页 |
| 4.2.1 尾电流管噪声优化 | 第60-62页 |
| 4.2.2 大电容滤波 | 第62-64页 |
| 4.3 电路前仿真 | 第64-67页 |
| 4.3.1 瞬态分析 | 第64-66页 |
| 4.3.2 频率特性分析 | 第66页 |
| 4.3.3 相位噪声分析 | 第66-67页 |
| 4.4 小结 | 第67-69页 |
| 第五章 压控振荡器版图设计和后仿真 | 第69-77页 |
| 5.1 版图设计 | 第69-71页 |
| 5.2 电路后仿真 | 第71-74页 |
| 5.2.1 瞬态分析 | 第72-73页 |
| 5.2.2 频率特性分析 | 第73-74页 |
| 5.2.3 相位噪声分析 | 第74页 |
| 5.3 压控振荡器性能总结和比较 | 第74-75页 |
| 5.4 小结 | 第75-77页 |
| 总结 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-85页 |
| 攻读硕士学位期间取得的科研成果 | 第85-87页 |
| 致谢 | 第87页 |
