| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 前言 | 第9-10页 |
| 1.2 一维GaN系半导体材料概述 | 第10-14页 |
| 1.2.1 一维GaN系半导体的结构 | 第10-11页 |
| 1.2.2 一维GaN系半导体的特性 | 第11-12页 |
| 1.2.3 一维GaN系半导体的生长机理 | 第12-14页 |
| 1.3 In_xGa_(1-x)N合金的研究现状及应用 | 第14-15页 |
| 1.3.1 实验研究现状 | 第14页 |
| 1.3.2 理论研究现状 | 第14-15页 |
| 1.3.3 InGaN合金的应用 | 第15页 |
| 1.4 本文的研究内容 | 第15-19页 |
| 第二章 理论基础与实验方案设计 | 第19-31页 |
| 2.1 第一性原理 | 第19-20页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第20-24页 |
| 2.3 CASTEP软件介绍 | 第24-25页 |
| 2.4 实验方案设计 | 第25-28页 |
| 2.4.1 实验方案与工艺流程 | 第25-27页 |
| 2.4.2 主要反应机理 | 第27-28页 |
| 2.5 表征与测试方法 | 第28-29页 |
| 2.6 本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 GaN和InN的第一性原理计算 | 第31-45页 |
| 3.1 理论模型和计算方法 | 第31-35页 |
| 3.1.1 体相GaN和InN的理论模型与计算方法 | 第31-33页 |
| 3.1.2 一维GaN和InN的理论模型与计算方法 | 第33-35页 |
| 3.2 几何结构和稳定性分析 | 第35-36页 |
| 3.3 能带结构和态密度分析 | 第36-40页 |
| 3.3.1 能带结构分析 | 第36-38页 |
| 3.3.2 态密度分析 | 第38-40页 |
| 3.4 光学性质分析 | 第40-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 一维In_xGa_(1-x)N合金的第一性原理计算 | 第45-59页 |
| 4.1 理论模型和计算方法 | 第45-46页 |
| 4.2 几何结构和稳定性分析 | 第46-49页 |
| 4.3 能带结构和态密度分析 | 第49-54页 |
| 4.3.1 能带结构分析 | 第49-51页 |
| 4.3.2 态密度分析 | 第51-54页 |
| 4.4 光学性质分析 | 第54-57页 |
| 4.5 本章小结 | 第57-59页 |
| 第五章 一维In_xGa_(1-x)N合金的制备及表征 | 第59-73页 |
| 5.1 一维GaN的制备与表征 | 第59-60页 |
| 5.2 一维InN的制备与表征 | 第60-62页 |
| 5.3 In_xGa_(1-x)N粉体的制备与表征 | 第62-65页 |
| 5.4 一维In_xGa_(1-x)N合金的制备及表征 | 第65-72页 |
| 5.4.1 氯化镍催化一维In_xGa_(1-x)N材料的制备及表征 | 第65-67页 |
| 5.4.2 氯化金催化一维In_xGa_(1-x)N材料的制备及表征 | 第67-69页 |
| 5.4.3 钴催化一维In_xGa_(1-x)N材料的制备及表征 | 第69-71页 |
| 5.4.4 光学性质表征及分析 | 第71-72页 |
| 5.5 本章小结 | 第72-73页 |
| 第六章 总结与展望 | 第73-77页 |
| 6.1 工作总结 | 第73-74页 |
| 6.2 工作展望 | 第74-77页 |
| 参考文献 | 第77-85页 |
| 攻读硕士期间取得的科研成果 | 第85-87页 |
| 致谢 | 第87页 |
