| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一部分 MgZnO 薄膜的PLD 制备及其特性研究 | 第11-58页 |
| 第一章 引言 | 第11-26页 |
| ·ZnO 材料的性质与研究进展 | 第11-14页 |
| ·ZnO 材料的性质 | 第11-12页 |
| ·ZnO 材料的研究现状 | 第12-14页 |
| ·三元合金MgZnO 薄膜的基本性质与研究进展 | 第14-19页 |
| ·MgZnO 薄膜的基本性质 | 第14-18页 |
| ·MgZnO 薄膜的研究进展 | 第18-19页 |
| ·MgZnO 薄膜的应用 | 第19-21页 |
| ·紫外探测器 | 第19-20页 |
| ·场致电子发射 | 第20-21页 |
| ·太阳能电池 | 第21页 |
| ·本文的研究思路与意义 | 第21-22页 |
| 参考文献 | 第22-26页 |
| 第二章 MgZnO 薄膜的PLD 制备技术与表征手段 | 第26-34页 |
| ·MgZnO 合金薄膜的制备技术-PLD | 第26-29页 |
| ·MgZnO 合金薄膜的表征手段 | 第29-33页 |
| ·薄膜的结晶结构 | 第29-30页 |
| ·薄膜的透射光谱 | 第30-31页 |
| ·薄膜的表面形貌 | 第31-33页 |
| 参考文献 | 第33-34页 |
| 第三章 MgZnO 合金薄膜性质的研究 | 第34-49页 |
| ·靶材的制备工艺 | 第34-35页 |
| ·薄膜制备的工艺条件 | 第35-36页 |
| ·在石英玻璃衬底上制备 MgZnO 薄膜的性质研究 | 第36-42页 |
| ·MgZnO 薄膜结晶性能的分析 | 第36-37页 |
| ·MgZnO 薄膜的透射光谱与禁带宽度的分析 | 第37-41页 |
| ·MgZnO 薄膜的厚度、折射率与表面形貌等数据的分析 | 第41-42页 |
| ·不同温度条件下生长MgZnO 薄膜的退火数据的分析 | 第42-47页 |
| ·生长温度为700℃的样品经过高温退火的性质分析 | 第42-43页 |
| ·生长温度为750℃的样品经过高温退火的性质分析 | 第43-44页 |
| ·生长温度为800℃的样品经过高温退火的性质分析 | 第44-45页 |
| ·退火对MgZnO 薄膜性能的影响 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-49页 |
| 第四章 MgZnO 紫外探测器的制备及测试 | 第49-58页 |
| ·紫外探测器的简单介绍 | 第49-50页 |
| ·紫外探测器制备工艺的介绍 | 第50-53页 |
| ·紫外曝光技术 | 第50-51页 |
| ·电子束蒸发技术 | 第51-52页 |
| ·快速退火技术 | 第52-53页 |
| ·紫外探测器的制备工艺及测试 | 第53-57页 |
| ·紫外探测器的制备工艺 | 第53-55页 |
| ·紫外探测器的测试结果 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57页 |
| 参考文献 | 第57-58页 |
| 第二部分 Si 基微盘光学谐振腔的制备与研究 | 第58-80页 |
| 第一章 Si 基微盘光学谐振腔的介绍 | 第58-63页 |
| ·光学微谐振腔的简介 | 第58-63页 |
| ·光学微腔的性质与分类 | 第58-61页 |
| ·微盘光学谐振腔的应用 | 第61页 |
| ·国内外研究的现状 | 第61-63页 |
| 第二章 微盘谐振腔的制备工艺及测试 | 第63-78页 |
| ·微加工法制备微盘 | 第63-65页 |
| ·微盘的制备工艺 | 第65-74页 |
| ·微盘谐振腔的实验结果 | 第74-76页 |
| ·微盘谐振腔测试系统 | 第76-77页 |
| ·本章小结 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-80页 |
| 总结与展望 | 第80-82页 |
| 硕士期间发表的文章 | 第82-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
